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负电子亲和势GaN光电阴极的研究进展

付小倩 常本康 李飙 王晓晖 乔建良

负电子亲和势GaN光电阴极的研究进展

付小倩, 常本康, 李飙, 王晓晖, 乔建良
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  • GaN材料由于其优良的性能,成为紫外探测和真空电子源领域极具发展潜力的材料之一;目前制备的反射式GaN光电阴极的量子效率已达到70%以上,透射式也达到了30%.本文对GaN光电阴极的结构设计、表面清洗和Cs/O激活三大方面进行了综述,分析了影响量子效率的关键因素,并对今后可能的发展方向进行了展望.
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号:60871012)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2010-05-22
  • 修回日期:  2010-07-09
  • 刊出日期:  2011-03-15

负电子亲和势GaN光电阴极的研究进展

  • 1. 南京理工大学电子工程与光电技术学院,南京 210094
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:60871012)资助的课题.

摘要: GaN材料由于其优良的性能,成为紫外探测和真空电子源领域极具发展潜力的材料之一;目前制备的反射式GaN光电阴极的量子效率已达到70%以上,透射式也达到了30%.本文对GaN光电阴极的结构设计、表面清洗和Cs/O激活三大方面进行了综述,分析了影响量子效率的关键因素,并对今后可能的发展方向进行了展望.

English Abstract

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