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GaAs光电阴极激活后的表面势垒评估研究

牛军 张益军 常本康 熊雅娟

GaAs光电阴极激活后的表面势垒评估研究

牛军, 张益军, 常本康, 熊雅娟
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出版历程
  • 收稿日期:  2010-06-19
  • 修回日期:  2010-07-19
  • 刊出日期:  2011-02-05

GaAs光电阴极激活后的表面势垒评估研究

  • 1. 南京理工大学电子工程与光电技术学院,南京 210094
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:60678043),南京理工大学自主科研专项计划(批准号: 2010ZYTS032)资助的课题.

摘要: 根据阴极制备过程中单独Cs激活和Cs-O交替激活两个阶段产生的光电流的峰值比,结合对电子穿过表面单势垒和双势垒后能量分布的理论曲线,提出了一种评估NEA GaAs光阴极表面势垒参数的新方法.利用该方法研究的结果完全符合双偶极层模型理论,并且和对实测阴极电子能量分布曲线拟合的结果非常一致.该方法简单、有效,在不增加测试手段的前提下,丰富了对NEA GaAs光电阴极激活效果及表面特征评价的方法和途径.

English Abstract

参考文献 (17)

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