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超深亚微米器件总剂量辐射效应三维数值模拟

何宝平 丁李利 姚志斌 肖志刚 黄绍燕 王祖军

超深亚微米器件总剂量辐射效应三维数值模拟

何宝平, 丁李利, 姚志斌, 肖志刚, 黄绍燕, 王祖军
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出版历程
  • 收稿日期:  2010-06-09
  • 修回日期:  2010-08-12
  • 刊出日期:  2011-05-15

超深亚微米器件总剂量辐射效应三维数值模拟

  • 1. 西北核技术研究所,西安 710613
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展计划(973)项目(批准号:61354030101)资助的课题.

摘要: 本文分析了浅槽隔离(STI)结构辐射诱导电荷的分布情况,给出一种模拟超深亚微米器件总剂量辐射效应的新方法.研究结果表明,如果在栅附近沿着STI侧墙不加辐照缺陷,仿真出的0.18 μm超深亚微米晶体管亚阈区I-V特性没有反常的隆起,并且能够很好地反映试验结果.在研究总剂量辐照特性改善方面,在剂量不是很大的情况下,采用超陡倒掺杂相对于均匀掺杂能有效地减小辐照所引起的泄漏电流.如果采用峰值(Halo)掺杂,不仅有利于提高超深亚微米器件的抗辐照能力,而且在大剂量的情况下,可以得到明显的效果.

English Abstract

参考文献 (10)

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