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Hall推力器内饱和鞘层下电子与壁面碰撞频率特性

张凤奎 丁永杰

Hall推力器内饱和鞘层下电子与壁面碰撞频率特性

张凤奎, 丁永杰
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  • 利用二维粒子模拟方法研究Hall推力器内电子与壁面的碰撞频率.研究发现,饱和鞘层状态下的电子与壁面的碰撞频率较经典鞘层下大大增加,甚至高出经典鞘层状态下电子与壁面碰撞频率两个数量级,这样饱和鞘层状态下电子与壁面的碰撞频率对近壁电流的贡献将不容忽略.进一步分析造成饱和鞘层状态下电子与壁面碰撞频率增加的原因后认为,饱和鞘层状态下电子与壁面碰撞频率的增加是鞘层电势降过低和壁面发射的二次电子回流造成的.
    • 基金项目: 中央高校基本科研业务费专项资金(批准号:HEUCF100212)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2010-06-22
  • 修回日期:  2010-08-23
  • 刊出日期:  2011-03-05

Hall推力器内饱和鞘层下电子与壁面碰撞频率特性

  • 1. (1)哈尔滨工程大学航天与建筑工程学院,哈尔滨 150001; (2)哈尔滨工业大学能源科学与工程学院,哈尔滨 150001
    基金项目: 

    中央高校基本科研业务费专项资金(批准号:HEUCF100212)资助的课题.

摘要: 利用二维粒子模拟方法研究Hall推力器内电子与壁面的碰撞频率.研究发现,饱和鞘层状态下的电子与壁面的碰撞频率较经典鞘层下大大增加,甚至高出经典鞘层状态下电子与壁面碰撞频率两个数量级,这样饱和鞘层状态下电子与壁面的碰撞频率对近壁电流的贡献将不容忽略.进一步分析造成饱和鞘层状态下电子与壁面碰撞频率增加的原因后认为,饱和鞘层状态下电子与壁面碰撞频率的增加是鞘层电势降过低和壁面发射的二次电子回流造成的.

English Abstract

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