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铒离子注入碳化硅的射程和退火行为研究

秦希峰 梁毅 王凤翔 李双 付刚 季艳菊

铒离子注入碳化硅的射程和退火行为研究

秦希峰, 梁毅, 王凤翔, 李双, 付刚, 季艳菊
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  • 用300—500 keV能量的铒(Er)离子注入碳化硅(6H-SiC)晶体中,利用卢瑟福背散射技术研究了剂量为5×1015 cm-2 的Er离子注入6H-SiC晶体的平均投影射程Rp和射程离散ΔRp,将测出的实验值和TRIM软件得到的理论模拟值进行了比较,发现Rp的实验值与理论值符合较好,ΔRp的实验值和理论值差别大一些
    • 基金项目: 山东建筑大学校内基金(批准号:XN070109)和山东省自然科学基金(批准号:ZR2009FM031)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2010-09-08
  • 修回日期:  2010-09-19
  • 刊出日期:  2011-03-05

铒离子注入碳化硅的射程和退火行为研究

  • 1. 山东建筑大学理学院,济南 250101
    基金项目: 

    山东建筑大学校内基金(批准号:XN070109)和山东省自然科学基金(批准号:ZR2009FM031)资助的课题.

摘要: 用300—500 keV能量的铒(Er)离子注入碳化硅(6H-SiC)晶体中,利用卢瑟福背散射技术研究了剂量为5×1015 cm-2 的Er离子注入6H-SiC晶体的平均投影射程Rp和射程离散ΔRp,将测出的实验值和TRIM软件得到的理论模拟值进行了比较,发现Rp的实验值与理论值符合较好,ΔRp的实验值和理论值差别大一些

English Abstract

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