搜索

文章查询

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

高磁导率材料FeCuNbSiB对超磁致伸缩/压电层合材料磁电性能的影响

陈蕾 李平 文玉梅 王东

高磁导率材料FeCuNbSiB对超磁致伸缩/压电层合材料磁电性能的影响

陈蕾, 李平, 文玉梅, 王东
PDF
导出引用
导出核心图
  • 采用超磁致伸缩材料TbxDy1-xFe2(x≈0.3)(Terfenol-D)、压电材料PbZrxTi1-xO3(PZT)和高磁导率材料FeCuNbSiB构造了新型的层合结构.由于引入高磁导率材料FeCuNbSiB改变了Terfenol-D的内部磁场分布,并且在磁场作用下,FeCuNbSiB发生形变对Terfenol-D产生应力,增大了Terfeno
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号: 50830202, 60774055, 10776039)资助的课题.
    [1]

    Landau L D, Lifshitz E 1960 Electrodynamics of Continuous Media (Oxford: Pergamon Press) p119

    [2]

    Folen V J, Rado G T, Stalder E W 1961 Phys. Rev. Lett. 6 607

    [3]

    Rado G T, Folen V J 1961 Phys. Rev. Lett. 7 310

    [4]

    Ryu J, Carazo A V,Uchino K, Kim H 2001 Jpn. J. Appl. Phys. 40 4948

    [5]

    Srinivasan G, Rasmussen E T, Hayes R 2003 Phys. Rev. B 67 14418

    [6]

    Srinivasan G, Rasmussen E T, Bush A A, Kametsev K E, Meshcheryakov V F, Fetisov Y K 2004 Appl. Phys. A 78 721

    [7]

    Dong S X, Li J F, Viehland D 2004 IEEE Trans. Ultrason. Ferroelectr. Freq. Contrl. 51 793

    [8]

    Dong S X, Li J F, Viehland D 2004 Appl. Phys. Lett. 85 5305

    [9]

    Giang D T H, Quynh L K, Dung N V, Nghi N H 2009 J. Phys.: Conf. Ser. 187 012057

    [10]

    Dong S X, Li J F, Viehland D 2006 J. Mater. Sci. 41 97

    [11]

    Yang F, Wen Y M, Li P, Zheng M, Bian L X 2007 Acta Phys. Sin. 56 3539 (in Chinese) [杨 帆、文玉梅、李 平、郑 敏、卞雷祥 2007 物理学报56 3539]

    [12]

    Li P, Wen Y M, Bian L X 2007 Appl. Phys. Lett. 90 022503

    [13]

    Yang W W, Wen Y M, Li P, Bian L X 2008 Acta Phys. Sin . 57 4545 (in Chinese) [杨伟伟、文玉梅、李 平、卞雷祥 2008 物理学报 57 4545]

    [14]

    Zhang Y F, Wen Y M, Li P, Bian L X 2009 Acta Phys. Sin. 58 546 (in Chinese) [张延芳、文玉梅、李 平、卞雷祥 2009 物理学报 58 546]

    [15]

    Bian L X, Wen Y M, Li P 2009 Acta Phys. Sin. 58 4205 (in Chinese) [卞雷祥、文玉梅、李 平 2009 物理学报 58 4205]

    [16]

    Or S W, Nersessian N, Carman G P 2004 IEEE Trans. Magn. 40 71

    [17]

    Dong S X, Zhai J Y, Li J F, Viehland D 2006 J. Appl. Phys. 100 124108

    [18]

    Wan Y P, Fang D N 2003 Acta Mech. Sin. 19 324

    [19]

    Dong S X, Li J F, Viehland D 2004 J. Appl. Phys. 95 2625

    [20]

    Dong S X, Li J F, Viehland D 2003 IEEE Trans. Ultrason. Ferroelectr. Freq. Contrl. 50 1253

    [21]

    Ryu J, Priya S, Carazo A V, Uchino K 2001 J. Am. Ceram. Soc. 84 2905

    [22]

    Wan J G, Liu J M 2003 J. Appl. Phys. 93 9916

    [23]

    Chang C M, Carman G P 2007 Phys. Rev. B 76 134116

    [24]

    Aharoni A 1998 J. Appl. Phys. 83 3432

    [25]

    Liang C B, Qing G 1980 Electromagnetics (Beijing: Higher Education Press) p464 (in Chinese) [梁灿彬、秦 光 1980 电磁学(北京: 高等教育出版社) 第464页]

    [26]

    Van Roy W, De Boeck J, Borghs G 1992 Appl. Phys. Lett. 61 3056

    [27]

    Yi J Z 1987 Magnetic Field Calculation and Magnetic Circuit Design (Chengdu: Chengdu Electronic Information Engineering College Press) p16 (in Chinese) [易敬曾 1987 磁场计算与磁路设计(成都: 成都电讯工程学院出版社) 第16页]

    [28]

    Zheng X J, Liu X E 2005 J. Appl. Phys. 97 053901

  • [1]

    Landau L D, Lifshitz E 1960 Electrodynamics of Continuous Media (Oxford: Pergamon Press) p119

    [2]

    Folen V J, Rado G T, Stalder E W 1961 Phys. Rev. Lett. 6 607

    [3]

    Rado G T, Folen V J 1961 Phys. Rev. Lett. 7 310

    [4]

    Ryu J, Carazo A V,Uchino K, Kim H 2001 Jpn. J. Appl. Phys. 40 4948

    [5]

    Srinivasan G, Rasmussen E T, Hayes R 2003 Phys. Rev. B 67 14418

    [6]

    Srinivasan G, Rasmussen E T, Bush A A, Kametsev K E, Meshcheryakov V F, Fetisov Y K 2004 Appl. Phys. A 78 721

    [7]

    Dong S X, Li J F, Viehland D 2004 IEEE Trans. Ultrason. Ferroelectr. Freq. Contrl. 51 793

    [8]

    Dong S X, Li J F, Viehland D 2004 Appl. Phys. Lett. 85 5305

    [9]

    Giang D T H, Quynh L K, Dung N V, Nghi N H 2009 J. Phys.: Conf. Ser. 187 012057

    [10]

    Dong S X, Li J F, Viehland D 2006 J. Mater. Sci. 41 97

    [11]

    Yang F, Wen Y M, Li P, Zheng M, Bian L X 2007 Acta Phys. Sin. 56 3539 (in Chinese) [杨 帆、文玉梅、李 平、郑 敏、卞雷祥 2007 物理学报56 3539]

    [12]

    Li P, Wen Y M, Bian L X 2007 Appl. Phys. Lett. 90 022503

    [13]

    Yang W W, Wen Y M, Li P, Bian L X 2008 Acta Phys. Sin . 57 4545 (in Chinese) [杨伟伟、文玉梅、李 平、卞雷祥 2008 物理学报 57 4545]

    [14]

    Zhang Y F, Wen Y M, Li P, Bian L X 2009 Acta Phys. Sin. 58 546 (in Chinese) [张延芳、文玉梅、李 平、卞雷祥 2009 物理学报 58 546]

    [15]

    Bian L X, Wen Y M, Li P 2009 Acta Phys. Sin. 58 4205 (in Chinese) [卞雷祥、文玉梅、李 平 2009 物理学报 58 4205]

    [16]

    Or S W, Nersessian N, Carman G P 2004 IEEE Trans. Magn. 40 71

    [17]

    Dong S X, Zhai J Y, Li J F, Viehland D 2006 J. Appl. Phys. 100 124108

    [18]

    Wan Y P, Fang D N 2003 Acta Mech. Sin. 19 324

    [19]

    Dong S X, Li J F, Viehland D 2004 J. Appl. Phys. 95 2625

    [20]

    Dong S X, Li J F, Viehland D 2003 IEEE Trans. Ultrason. Ferroelectr. Freq. Contrl. 50 1253

    [21]

    Ryu J, Priya S, Carazo A V, Uchino K 2001 J. Am. Ceram. Soc. 84 2905

    [22]

    Wan J G, Liu J M 2003 J. Appl. Phys. 93 9916

    [23]

    Chang C M, Carman G P 2007 Phys. Rev. B 76 134116

    [24]

    Aharoni A 1998 J. Appl. Phys. 83 3432

    [25]

    Liang C B, Qing G 1980 Electromagnetics (Beijing: Higher Education Press) p464 (in Chinese) [梁灿彬、秦 光 1980 电磁学(北京: 高等教育出版社) 第464页]

    [26]

    Van Roy W, De Boeck J, Borghs G 1992 Appl. Phys. Lett. 61 3056

    [27]

    Yi J Z 1987 Magnetic Field Calculation and Magnetic Circuit Design (Chengdu: Chengdu Electronic Information Engineering College Press) p16 (in Chinese) [易敬曾 1987 磁场计算与磁路设计(成都: 成都电讯工程学院出版社) 第16页]

    [28]

    Zheng X J, Liu X E 2005 J. Appl. Phys. 97 053901

  • [1] 翁明, 谢少毅, 殷明, 曹猛. 介质材料二次电子发射特性对微波击穿的影响. 物理学报, 2020, (): . doi: 10.7498/aps.69.20200026
    [2] 李闯, 李伟伟, 蔡理, 谢丹, 刘保军, 向兰, 杨晓阔, 董丹娜, 刘嘉豪, 陈亚博. 基于银纳米线电极-rGO敏感材料的柔性NO2气体传感器. 物理学报, 2020, 69(5): 058101. doi: 10.7498/aps.69.20191390
    [3] 吴雨明, 丁霄, 王任, 王秉中. 基于等效介质原理的宽角超材料吸波体的理论分析. 物理学报, 2020, 69(5): 054202. doi: 10.7498/aps.69.20191732
    [4] 王琳, 魏来, 王正汹. 垂直磁重联平面的驱动流对磁岛链影响的模拟. 物理学报, 2020, 69(5): 059401. doi: 10.7498/aps.69.20191612
    [5] 朱肖丽, 胡耀垓, 赵正予, 张援农. 钡和铯释放的电离层扰动效应对比. 物理学报, 2020, 69(2): 029401. doi: 10.7498/aps.69.20191266
    [6] Algethami ObaidallahA(伊比), 李歌天, 柳祝红, 马星桥. Heusler合金Mn50–xCrxNi42Sn8的相变、磁性与交换偏置效应. 物理学报, 2020, 69(5): 058102. doi: 10.7498/aps.69.20191551
    [7] 梁晋洁, 高宁, 李玉红. 表面效应对铁\begin{document}${\left\langle 100 \right\rangle} $\end{document}间隙型位错环的影响. 物理学报, 2020, 69(3): 036101. doi: 10.7498/aps.69.20191379
    [8] 张梦, 姚若河, 刘玉荣. 纳米尺度金属-氧化物半导体场效应晶体管沟道热噪声模型. 物理学报, 2020, 69(5): 057101. doi: 10.7498/aps.69.20191512
    [9] 卢超, 陈伟, 罗尹虹, 丁李利, 王勋, 赵雯, 郭晓强, 李赛. 纳米体硅鳍形场效应晶体管单粒子瞬态中的源漏导通现象研究. 物理学报, 2020, (): . doi: 10.7498/aps.69.20191896
    [10] 刘乃漳, 张雪冰, 姚若河. AlGaN/GaN 高电子迁移率器件外部边缘电容的物理模型. 物理学报, 2020, (): . doi: 10.7498/aps.69.20191931
    [11] 李翔艳, 王志辉, 李少康, 田亚莉, 李刚, 张鹏飞, 张天才. 蓝移阱中单个铯原子基态磁不敏感态的相干操控. 物理学报, 2020, (): . doi: 10.7498/aps.69.20192001
    [12] 任县利, 张伟伟, 伍晓勇, 吴璐, 王月霞. 高熵合金短程有序现象的预测及其对结构的电子、磁性、力学性质的影响. 物理学报, 2020, 69(4): 046102. doi: 10.7498/aps.69.20191671
    [13] 张继业, 张建伟, 曾玉刚, 张俊, 宁永强, 张星, 秦莉, 刘云, 王立军. 高功率垂直外腔面发射半导体激光器增益设计及制备. 物理学报, 2020, 69(5): 054204. doi: 10.7498/aps.69.20191787
    [14] 沈永青, 张志强, 廖斌, 吴先映, 张旭, 华青松, 鲍曼雨. 高功率脉冲磁控溅射技术制备掺氮类金刚石薄膜的磨蚀性能研究. 物理学报, 2020, (): . doi: 10.7498/aps.69.20200021
  • 引用本文:
    Citation:
计量
  • 文章访问数:  3659
  • PDF下载量:  707
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2010-08-30
  • 修回日期:  2010-09-16
  • 刊出日期:  2011-06-15

高磁导率材料FeCuNbSiB对超磁致伸缩/压电层合材料磁电性能的影响

  • 1. 重庆大学光电工程学院,教育部光电技术及系统重点实验室,重庆 400044
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号: 50830202, 60774055, 10776039)资助的课题.

摘要: 采用超磁致伸缩材料TbxDy1-xFe2(x≈0.3)(Terfenol-D)、压电材料PbZrxTi1-xO3(PZT)和高磁导率材料FeCuNbSiB构造了新型的层合结构.由于引入高磁导率材料FeCuNbSiB改变了Terfenol-D的内部磁场分布,并且在磁场作用下,FeCuNbSiB发生形变对Terfenol-D产生应力,增大了Terfeno

English Abstract

参考文献 (28)

目录

    /

    返回文章
    返回