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电介质表面纵向射频电场对次级电子倍增效应的影响

朱方 张兆传 戴舜 罗积润

电介质表面纵向射频电场对次级电子倍增效应的影响

朱方, 张兆传, 戴舜, 罗积润
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  • 基于次级电子倍增动力学模型和次级电子发射曲线,运用蒙特卡罗方法模拟电介质表面具有纵向射频电场作用下的单边次级电子倍增现象,研究次级电子倍增的表面电场敏感曲线和时间演化图像. 以一个S波段射频介质窗为例,计算次级电子在其介质表面的沉积功率. 结果表明,纵向射频电场可能加剧电介质表面的次级电子倍增效应,易于导致介质片破裂,不利于高频能量传输.
    • 基金项目: 国家高技术研究发展计划(批准号:2007AA12Z124)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2009-12-22
  • 修回日期:  2010-12-27
  • 刊出日期:  2011-04-05

电介质表面纵向射频电场对次级电子倍增效应的影响

  • 1. 中国科学院电子学研究所,北京 100190;
  • 2. 中国科学院研究生院,北京 100049
    基金项目: 

    国家高技术研究发展计划(批准号:2007AA12Z124)资助的课题.

摘要: 基于次级电子倍增动力学模型和次级电子发射曲线,运用蒙特卡罗方法模拟电介质表面具有纵向射频电场作用下的单边次级电子倍增现象,研究次级电子倍增的表面电场敏感曲线和时间演化图像. 以一个S波段射频介质窗为例,计算次级电子在其介质表面的沉积功率. 结果表明,纵向射频电场可能加剧电介质表面的次级电子倍增效应,易于导致介质片破裂,不利于高频能量传输.

English Abstract

参考文献 (35)

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