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单轴应变硅nMOSFET栅隧穿电流模型

吴华英 张鹤鸣 宋建军 胡辉勇

单轴应变硅nMOSFET栅隧穿电流模型

吴华英, 张鹤鸣, 宋建军, 胡辉勇
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出版历程
  • 收稿日期:  2010-10-12
  • 修回日期:  2010-12-03
  • 刊出日期:  2011-09-15

单轴应变硅nMOSFET栅隧穿电流模型

  • 1. 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件重点实验室,西安 710071
    基金项目: 

    国家部委项目(批准号:51308040203, 6139801),中央高校基本科研业务费(批准号:72105499, 72104089)和陕西省自然科学基础研究计划项目(批准号:2010JQ8008)资助的课题.

摘要: 本文基于量子机制建立了单轴应变硅nMOSFET栅隧穿电流模型,分析了隧穿电流与器件结构参数、偏置电压及应力的关系.仿真分析结果与单轴应变硅nMOSFET的实验结果符合较好,表明该模型可行.同时与具有相同条件的双轴应变硅nMOSFET的实验结果相比,隧穿电流更小,从而表明单轴应变硅器件更具有优势.该模型物理机理明确,不仅适用于单轴应变硅nMOSFET,只要将相关的参数置换,该模型也同样适用于单轴应变硅pMOSFETs.

English Abstract

参考文献 (19)

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