搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

单轴应变硅nMOSFET栅隧穿电流模型

吴华英 张鹤鸣 宋建军 胡辉勇

单轴应变硅nMOSFET栅隧穿电流模型

吴华英, 张鹤鸣, 宋建军, 胡辉勇
PDF
导出引用
导出核心图
  • 本文基于量子机制建立了单轴应变硅nMOSFET栅隧穿电流模型,分析了隧穿电流与器件结构参数、偏置电压及应力的关系.仿真分析结果与单轴应变硅nMOSFET的实验结果符合较好,表明该模型可行.同时与具有相同条件的双轴应变硅nMOSFET的实验结果相比,隧穿电流更小,从而表明单轴应变硅器件更具有优势.该模型物理机理明确,不仅适用于单轴应变硅nMOSFET,只要将相关的参数置换,该模型也同样适用于单轴应变硅pMOSFETs.
    • 基金项目: 国家部委项目(批准号:51308040203, 6139801),中央高校基本科研业务费(批准号:72105499, 72104089)和陕西省自然科学基础研究计划项目(批准号:2010JQ8008)资助的课题.
    [1]

    Ghetti A, Liu, Mastrapasqua M 2000 IEEE Trans. Electron Devices 44 1523

    [2]

    Guo Y H, Zhao Z P, Hao Y, Liu Y G, Wu Y B, Lü M 2005 Acta Phys. Sin. 54 1804 (in Chinese)[郭荣辉、赵正平、郝 跃、刘玉贵、武一宾、吕 苗 2005 物理学报 54 1804]

    [3]

    Chen W B, Xue J P, Zou X, Li Y P, Xue S G, Hu Z F 2006 Acta Phys. Sin. 55 5036 (in Chinese)[陈卫兵、徐静平、邹 晓、李艳萍、许胜国、胡致富 2006 物理学报 55 5036]

    [4]

    Ghetti A, Sangiorgi E, Bude J 2000 IEEE Trans. Electron Devices 47 2358

    [5]

    Zhang Zh F, Zhang H M, Hu H Y, Xuan R X, Song J J 2008 Acta Phys. Sin. 57 4667 (in Chinese)[张志峰、张鹤鸣、胡辉勇、宣荣喜、宋建军 2009 物理学报 57 4667]

    [6]

    Rim K, Hoyt K, Gibbon J F 2000 IEEE Trans. Electron Devices 47 1406

    [7]

    Irisawa T, Numata T, Toyoda E 2007 Symposium on VLSI Technology Digest of Technolcal Papers 36

    [8]

    Garros X, Rochette F, Andrieu F 2009 Journal of Applied Physis 105 114508

    [9]

    Zainmddin A N M, Haque A 2006 Proceedings of the 4th International Conference on Electrical and Computer Engineering ICECE 2006. 19

    [10]

    Wu H, Zhao Y, White M H 2006 Solid State Electron 50 1164

    [11]

    Ungersboeck E, Dhar S, Karlowatz G 2007 Journal of Computational Electronics 6 55

    [12]

    Lim J S, Yang X, Nishida T, Thompson S E 2006 Appl. Phys. Lett. 89 073509

    [13]

    Hsieh C Y, Chen M J 2007 IEEE Electron Device Lett. 28 818

    [14]

    Lim S 2004 IEEE Electron Device Lett. 25 11

    [15]

    Zhang W, Fossum J G 2005 IEEE Trans. Electron Devices 52 263

    [16]

    Yijie Zhao, Marvin H White 2004 Solid-State Electronics 48 1801

    [17]

    Ghatak A, Lokanathan S 2004Quantum Mechanics Theory and Application,5th ed. New Delhi, India: McMillan 380

    [18]

    Leonard F Register, Elyse Rosenbaum, Kevin Yang 1999 Journal of Applied Phys. Lett. 74 3

    [19]

    Xiaodong Yang, Younsung Choi, Toshikazu Nishida 2007 Proceedings of 2007 International Workshouon Electron Device and Semiconductor Technonogy 149

  • [1]

    Ghetti A, Liu, Mastrapasqua M 2000 IEEE Trans. Electron Devices 44 1523

    [2]

    Guo Y H, Zhao Z P, Hao Y, Liu Y G, Wu Y B, Lü M 2005 Acta Phys. Sin. 54 1804 (in Chinese)[郭荣辉、赵正平、郝 跃、刘玉贵、武一宾、吕 苗 2005 物理学报 54 1804]

    [3]

    Chen W B, Xue J P, Zou X, Li Y P, Xue S G, Hu Z F 2006 Acta Phys. Sin. 55 5036 (in Chinese)[陈卫兵、徐静平、邹 晓、李艳萍、许胜国、胡致富 2006 物理学报 55 5036]

    [4]

    Ghetti A, Sangiorgi E, Bude J 2000 IEEE Trans. Electron Devices 47 2358

    [5]

    Zhang Zh F, Zhang H M, Hu H Y, Xuan R X, Song J J 2008 Acta Phys. Sin. 57 4667 (in Chinese)[张志峰、张鹤鸣、胡辉勇、宣荣喜、宋建军 2009 物理学报 57 4667]

    [6]

    Rim K, Hoyt K, Gibbon J F 2000 IEEE Trans. Electron Devices 47 1406

    [7]

    Irisawa T, Numata T, Toyoda E 2007 Symposium on VLSI Technology Digest of Technolcal Papers 36

    [8]

    Garros X, Rochette F, Andrieu F 2009 Journal of Applied Physis 105 114508

    [9]

    Zainmddin A N M, Haque A 2006 Proceedings of the 4th International Conference on Electrical and Computer Engineering ICECE 2006. 19

    [10]

    Wu H, Zhao Y, White M H 2006 Solid State Electron 50 1164

    [11]

    Ungersboeck E, Dhar S, Karlowatz G 2007 Journal of Computational Electronics 6 55

    [12]

    Lim J S, Yang X, Nishida T, Thompson S E 2006 Appl. Phys. Lett. 89 073509

    [13]

    Hsieh C Y, Chen M J 2007 IEEE Electron Device Lett. 28 818

    [14]

    Lim S 2004 IEEE Electron Device Lett. 25 11

    [15]

    Zhang W, Fossum J G 2005 IEEE Trans. Electron Devices 52 263

    [16]

    Yijie Zhao, Marvin H White 2004 Solid-State Electronics 48 1801

    [17]

    Ghatak A, Lokanathan S 2004Quantum Mechanics Theory and Application,5th ed. New Delhi, India: McMillan 380

    [18]

    Leonard F Register, Elyse Rosenbaum, Kevin Yang 1999 Journal of Applied Phys. Lett. 74 3

    [19]

    Xiaodong Yang, Younsung Choi, Toshikazu Nishida 2007 Proceedings of 2007 International Workshouon Electron Device and Semiconductor Technonogy 149

  • 引用本文:
    Citation:
计量
  • 文章访问数:  4104
  • PDF下载量:  616
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2010-10-12
  • 修回日期:  2010-12-03
  • 刊出日期:  2011-09-15

单轴应变硅nMOSFET栅隧穿电流模型

  • 1. 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件重点实验室,西安 710071
    基金项目: 

    国家部委项目(批准号:51308040203, 6139801),中央高校基本科研业务费(批准号:72105499, 72104089)和陕西省自然科学基础研究计划项目(批准号:2010JQ8008)资助的课题.

摘要: 本文基于量子机制建立了单轴应变硅nMOSFET栅隧穿电流模型,分析了隧穿电流与器件结构参数、偏置电压及应力的关系.仿真分析结果与单轴应变硅nMOSFET的实验结果符合较好,表明该模型可行.同时与具有相同条件的双轴应变硅nMOSFET的实验结果相比,隧穿电流更小,从而表明单轴应变硅器件更具有优势.该模型物理机理明确,不仅适用于单轴应变硅nMOSFET,只要将相关的参数置换,该模型也同样适用于单轴应变硅pMOSFETs.

English Abstract

参考文献 (19)

目录

    /

    返回文章
    返回