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电子束辐照诱导Bi:α-BaB2O4 单晶近红外宽带发光的研究

赵衡煜 俞平胜 郭鑫 苏良碧 李欣年 方晓明 杨秋红 徐军

电子束辐照诱导Bi:α-BaB2O4 单晶近红外宽带发光的研究

赵衡煜, 俞平胜, 郭鑫, 苏良碧, 李欣年, 方晓明, 杨秋红, 徐军
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  • 用提拉法技术生长出了Bi:α-BaB2O4单晶,并进行电子束辐照.测定了电子束辐照前后的吸收谱和荧光发射谱.在808 nm波长激光二极管的激发下,电子束辐照后的Bi:α-BaB2O4单晶中观测到了中心波长在1135 nm附近、半高宽为52 nm左右的近红外宽带发光现象.近红外宽带发光的发光中心是Bi+离子.电子束射线起到了将Bi3+和Bi2+还原至一价态
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号:60778036,60938001,61078053和60908030),中国科学院百人计划和上海市科学技术委员会(批准号:08520704400)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2010-09-21
  • 修回日期:  2010-12-05
  • 刊出日期:  2011-09-15

电子束辐照诱导Bi:α-BaB2O4 单晶近红外宽带发光的研究

  • 1. (1)上海大学材料科学与工程学院电子信息材料系,上海 200072; (2)上海大学材料科学与工程学院电子信息材料系,上海 200072;中国科学院透明与光功能无机材料重点实验室,上海硅酸盐研究所,上海 201800; (3)上海大学射线应用研究所,上海 201800; (4)中国科学院透明与光功能无机材料重点实验室,上海硅酸盐研究所,上海 201800
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:60778036,60938001,61078053和60908030),中国科学院百人计划和上海市科学技术委员会(批准号:08520704400)资助的课题.

摘要: 用提拉法技术生长出了Bi:α-BaB2O4单晶,并进行电子束辐照.测定了电子束辐照前后的吸收谱和荧光发射谱.在808 nm波长激光二极管的激发下,电子束辐照后的Bi:α-BaB2O4单晶中观测到了中心波长在1135 nm附近、半高宽为52 nm左右的近红外宽带发光现象.近红外宽带发光的发光中心是Bi+离子.电子束射线起到了将Bi3+和Bi2+还原至一价态

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