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氮化镓基发光二极管结构中粗化 p型氮化镓层的新型生长方法

汪莱 韩彦军 罗毅 邓和清 丘建生 张洁 李水清

氮化镓基发光二极管结构中粗化 p型氮化镓层的新型生长方法

汪莱, 韩彦军, 罗毅, 邓和清, 丘建生, 张洁, 李水清
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出版历程
  • 收稿日期:  2010-12-07
  • 修回日期:  2010-12-13
  • 刊出日期:  2011-09-15

氮化镓基发光二极管结构中粗化 p型氮化镓层的新型生长方法

  • 1. (1)清华大学电子工程系,集成光电子学国家重点实验室/清华信息科学与技术国家实验室(筹),北京 100084; (2)厦门市三安光电科技有限公司,厦门 361009; (3)厦门市三安光电科技有限公司,厦门 361009;清华大学电子工程系,集成光电子学国家重点实验室/清华信息科学与技术国家实验室(筹),北京 100084
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展计划(973)(批准号:2011CB301902, 2011CB301903),国家自然科学基金(批准号:60723002, 50706022, 60977022, 51002085),国家高技术研究发展计划(863)(批准号:2007AA05Z429, 2008AA03A194)和北京市自然科学基金(批准号:4091001)资助的课题.

摘要: 提出了一种新型p型氮化镓粗化外延生长方法,这种生长方法的本质特征是利用低温生长的p型氮化镓作为粗化层的"晶籽"层,然后在这一层的基础上高温快速生长p型氮化镓,使粗化程度得到放大. 经实际制作尺寸为12 mil×10 mil的蓝光发光二极管器件并进行验证测试,与未进行p型氮化镓粗化的结果相比,通过这种方法粗化的发光二极管光通量可提升45%;结果同时表明,该方法有效解决了低温生长p型氮化镓带来的漏电流大,及预通镁源带来的前置电压高的问题.

English Abstract

参考文献 (11)

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