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温度梯度对晶粒生长行为影响的相场模拟

魏承炀 李赛毅

温度梯度对晶粒生长行为影响的相场模拟

魏承炀, 李赛毅
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  • 利用相场法建立了一个可应用于研究温度梯度影响下的晶粒生长行为的二维模型,模拟了多晶材料退火过程中由温度梯度引起的非均匀晶粒生长和定向晶粒生长行为.结果表明:退火过程中,在静态温度梯度的影响下,体系的晶粒呈现不均匀生长,且从晶粒生长指数来看,不同程度地偏离了正常晶粒生长;在动态温度梯度的影响下,体系内部常出现柱状晶粒生长,柱状晶粒前端持续生长至温度最高位置;柱状晶粒生长与动态热源的移动速率密切相关,只有当动态热源的移动速率处于最小和最大晶粒生长速率之间时,柱状晶粒才会出现.
    • 基金项目: 教育部新世纪优秀人才支持计划(批准号:NCET-06-0741)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2010-07-31
  • 修回日期:  2011-01-11
  • 刊出日期:  2011-05-05

温度梯度对晶粒生长行为影响的相场模拟

  • 1. 华南理工大学机械与汽车工程学院,广州 510640;
  • 2. 中南大学材料科学与工程学院,长沙 410083
    基金项目: 

    教育部新世纪优秀人才支持计划(批准号:NCET-06-0741)资助的课题.

摘要: 利用相场法建立了一个可应用于研究温度梯度影响下的晶粒生长行为的二维模型,模拟了多晶材料退火过程中由温度梯度引起的非均匀晶粒生长和定向晶粒生长行为.结果表明:退火过程中,在静态温度梯度的影响下,体系的晶粒呈现不均匀生长,且从晶粒生长指数来看,不同程度地偏离了正常晶粒生长;在动态温度梯度的影响下,体系内部常出现柱状晶粒生长,柱状晶粒前端持续生长至温度最高位置;柱状晶粒生长与动态热源的移动速率密切相关,只有当动态热源的移动速率处于最小和最大晶粒生长速率之间时,柱状晶粒才会出现.

English Abstract

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