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绝缘氧化层上自离子注入Si薄膜W线发光性能的调控

王茺 杨宇 杨瑞东 李亮 韦冬 靳映霞 Bao Ji-Ming

绝缘氧化层上自离子注入Si薄膜W线发光性能的调控

王茺, 杨宇, 杨瑞东, 李亮, 韦冬, 靳映霞, Bao Ji-Ming
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  • 对SOI基片上的Si薄膜进行了一系列Si+自注入和热退火的改性实验,并利用低温光致发光(PL)光谱对这些Si薄膜样品的发光性能进行了测试. 在这些SOI样品的PL光谱中观察到了丰富的光学结构,包括D1,D2,D3,X以及异常尖锐的W线. 通过对比在同等光谱测试条件下的W线归一化强度,获得了针对SOI基片发射W线较为理想的自注入和热退火参数. 同时,还对D系列发光峰以及W线的缺陷起源和光学性质进行了很好的讨论.
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号:10964016,10990103)、教育部科学技术研究重点项目(批准号:210207)和云南大学理工基金(批准号:2009E27Q)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2010-10-23
  • 修回日期:  2011-02-03
  • 刊出日期:  2011-10-15

绝缘氧化层上自离子注入Si薄膜W线发光性能的调控

  • 1. 云南大学光电信息材料研究所,昆明 650091;
  • 2. Department of Electrical and Computer Engineering,University of Houston,Houston,Texas 77204,USA
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:10964016,10990103)、教育部科学技术研究重点项目(批准号:210207)和云南大学理工基金(批准号:2009E27Q)资助的课题.

摘要: 对SOI基片上的Si薄膜进行了一系列Si+自注入和热退火的改性实验,并利用低温光致发光(PL)光谱对这些Si薄膜样品的发光性能进行了测试. 在这些SOI样品的PL光谱中观察到了丰富的光学结构,包括D1,D2,D3,X以及异常尖锐的W线. 通过对比在同等光谱测试条件下的W线归一化强度,获得了针对SOI基片发射W线较为理想的自注入和热退火参数. 同时,还对D系列发光峰以及W线的缺陷起源和光学性质进行了很好的讨论.

English Abstract

参考文献 (63)

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