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量子点环嵌入Aharonov-Bohm干涉器中电子的退耦合态及反共振现象

吴丽君 韩宇 公卫江 谭天亚

量子点环嵌入Aharonov-Bohm干涉器中电子的退耦合态及反共振现象

吴丽君, 韩宇, 公卫江, 谭天亚
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  • 采用Anderson模型哈密顿量和非平衡态格林函数方法对量子点环以不同构型嵌入A-B干涉器中电子输运的退耦合态及反共振现象进行了理论研究. 结果表明,量子点环A-B干涉器的结构对称性以及穿过A-B干涉器的磁通量是诱发退耦合现象的两种物理机理. 耦合量子点结构的对称性越高,体系在相干电子输运过程中表现出来的退耦合及反共振现象越明显. 而且在具有高度对称性的耦合量子点结构中,通过磁场调节体系的结构参数可以分别使第奇数或第偶数分子本征态从电极上退耦合,从而使电子输运电导表现出奇偶对等振荡现象. 这为设计纳米电子开关器件提供了一个新的物理模型.
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号: 10904010,10932002)和辽宁省教育厅项目(批准号:2009A309)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2010-04-19
  • 修回日期:  2011-01-14
  • 刊出日期:  2011-10-15

量子点环嵌入Aharonov-Bohm干涉器中电子的退耦合态及反共振现象

  • 1. 辽宁大学物理学院,沈阳 110036;
  • 2. 沈阳理工大学理学院,沈阳 110159;
  • 3. 东北大学理学院,沈阳 110004
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号: 10904010,10932002)和辽宁省教育厅项目(批准号:2009A309)资助的课题.

摘要: 采用Anderson模型哈密顿量和非平衡态格林函数方法对量子点环以不同构型嵌入A-B干涉器中电子输运的退耦合态及反共振现象进行了理论研究. 结果表明,量子点环A-B干涉器的结构对称性以及穿过A-B干涉器的磁通量是诱发退耦合现象的两种物理机理. 耦合量子点结构的对称性越高,体系在相干电子输运过程中表现出来的退耦合及反共振现象越明显. 而且在具有高度对称性的耦合量子点结构中,通过磁场调节体系的结构参数可以分别使第奇数或第偶数分子本征态从电极上退耦合,从而使电子输运电导表现出奇偶对等振荡现象. 这为设计纳米电子开关器件提供了一个新的物理模型.

English Abstract

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