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基于单电子晶体管 - 金属氧化物场效应晶体管电路的离散混沌系统实现

冯朝文 蔡理 康强 彭卫东 柏鹏 王甲富

基于单电子晶体管 - 金属氧化物场效应晶体管电路的离散混沌系统实现

冯朝文, 蔡理, 康强, 彭卫东, 柏鹏, 王甲富
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出版历程
  • 收稿日期:  2011-01-25
  • 修回日期:  2011-03-03
  • 刊出日期:  2011-11-15

基于单电子晶体管 - 金属氧化物场效应晶体管电路的离散混沌系统实现

  • 1. 空军工程大学理学院,西安 710051;
  • 2. 空军工程大学科研部,西安 710051;
  • 3. 空军工程大学综合电子信息系统研究中心,西安 710051
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:61172043)、陕西省自然科学基础研究计划重点项目(批准号:2011JZ015)和陕西省电子信息系统综合集成重点实验室基金(批准号:201115Y15)资助的课题.

摘要: 提出了一种利用单电子晶体管与金属氧化物半导体的混合结构(SET-MOS)实现离散混沌系统的方法.研究了两个并联结构的单电子晶体管在电流源偏置下的传输特性,并建立其相应的S形分段线性函数模型.基于该模型实现了一维离散映射系统,分析了它的动力学特性,包括一维映射过程、分岔图和Lyapunov指数等.最后利用SET-MOS混合电路设计出该离散混沌系统的电子电路,验证了理论分析和实现方法的正确性.研究结果表明,该方法不仅可行,而且物理实现结构简单,利于集成.

English Abstract

参考文献 (18)

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