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硅掺杂辉光放电聚合物薄膜的热稳定性研究

张颖 何智兵 李萍 闫建成

硅掺杂辉光放电聚合物薄膜的热稳定性研究

张颖, 何智兵, 李萍, 闫建成
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出版历程
  • 收稿日期:  2010-12-25
  • 修回日期:  2011-07-18
  • 刊出日期:  2011-06-05

硅掺杂辉光放电聚合物薄膜的热稳定性研究

  • 1. 中国工程物理研究院激光聚变研究中心, 绵阳 621900;
  • 2. 四川大学原子与分子物理研究所, 成都 610065

摘要: 采用等离子体辉光放电聚合技术,在不同四甲基硅烷(TMS)流量条件下制备了硅掺杂辉光放电聚合物(Si-GDP)薄膜,采用傅里叶变换红外光谱、X射线光电子能谱和热重(TG)分析技术分析了不同TMS流量对Si-GDP薄膜结构与热稳定性的影响.结果表明:随着TMS流量在00.06 cm3/min范围变化,Si-GDP薄膜中Si的原子含量CSi为016.62%;含Si红外吸收峰的相对强度随TMS流量的增加而明显增大;Si-GDP薄膜的TG分析显示,温度在300 ℃时,随TMS流量的增加,Si-GDP薄膜的失重减少,热稳定性增强.

English Abstract

参考文献 (29)

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