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铜沉淀对直拉硅单晶中洁净区形成的影响

王永志 徐进 王娜婷 吉川 张光超

铜沉淀对直拉硅单晶中洁净区形成的影响

王永志, 徐进, 王娜婷, 吉川, 张光超
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  • 研究普通热处理和快速热处理工艺下直拉单晶硅中过渡族金属铜杂质对洁净区生成的影响. 通过腐蚀和光学显微镜研究发现,常规高-低-高三步洁净区生成热处理样品中, 第一步高温热处理前对样品铜沾污,样品中没有洁净区生成,高密度的铜沉淀布满了样品整个截面. 而第二步、第三步热处理过程中引入铜杂质不影响洁净区的生成. 研究表明,高温热处理过程中生成的铜沉淀不能溶解是导致洁净区不能形成的最主要原因. 另外,由于不同温度下热处理,导致引入铜杂质的平衡浓度不同,会在一定程度上影响洁净区的厚度. 对于快速热处理样品,可以得到相似的结果.
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号:50902116, 50832006)、福建省高等学校新世纪优秀人才支持计划, 硅材料国家重点实验室开放基金项目(批准号:SKL2009-11)和福建省重大平台建设基金(批准号:2009J1009)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2011-03-15
  • 修回日期:  2011-04-28
  • 刊出日期:  2012-01-05

铜沉淀对直拉硅单晶中洁净区形成的影响

  • 1. 厦门大学材料学院, 厦门 361005;
  • 2. 浙江大学硅材料国家重点实验室, 杭州 310027;
  • 3. 福建省防火阻燃材料重点实验室, 厦门 361005
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:50902116, 50832006)、福建省高等学校新世纪优秀人才支持计划, 硅材料国家重点实验室开放基金项目(批准号:SKL2009-11)和福建省重大平台建设基金(批准号:2009J1009)资助的课题.

摘要: 研究普通热处理和快速热处理工艺下直拉单晶硅中过渡族金属铜杂质对洁净区生成的影响. 通过腐蚀和光学显微镜研究发现,常规高-低-高三步洁净区生成热处理样品中, 第一步高温热处理前对样品铜沾污,样品中没有洁净区生成,高密度的铜沉淀布满了样品整个截面. 而第二步、第三步热处理过程中引入铜杂质不影响洁净区的生成. 研究表明,高温热处理过程中生成的铜沉淀不能溶解是导致洁净区不能形成的最主要原因. 另外,由于不同温度下热处理,导致引入铜杂质的平衡浓度不同,会在一定程度上影响洁净区的厚度. 对于快速热处理样品,可以得到相似的结果.

English Abstract

参考文献 (32)

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