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为了进一步提高小尺寸金属氧化物半导体(MOSFET)的性能,在应变硅器件的基础上, 提出了一种新型的异质栅MOSFET器件结构.通过求解二维Poisson方程,结合应变硅技术的物理原理,建立了表面势、表面电场以及阈值电压的物理模型,研究了栅金属长度、功函数以及双轴应变对其的影响. 通过仿真软件ISE TCAD进行模拟仿真,模型计算与数值模拟的结果基本符合. 研究表明：与传统器件相比,本文提出的异质栅应变硅新器件结构的载流子输运效率进一步提高, 可以很好地抑制小尺寸器件的短沟道效应、漏极感应势垒降低效应和热载流子效应, 使器件性能得到了很大的提升.
[1] Fiegna C 1994 IEEE Trans. Electron Dev. ED-41 941
[2] Hisamoto D, Kedzierski J 2000 IEEE Trans.Electron Dev. 47 2320
[3] Zhang H M, Cui X Y, Hu H Y, Dai X Y, Xuan R X 2007 Acta Phys. Sin. 56 3504 (in Chinese) [张鹤鸣,崔晓英,胡辉勇,戴显英,宣荣喜 2007 物理学报 56 3504]
[4] Zhou X 2000 IEEE Trans. Electron Dev. 47 113
[5] LongW, Qu H J, JenMK 1999 IEEE Trans. Electron Dev. 46 865
[6] Venkataraman V, Kumar M J 2007 IEEE Trans. Electron Dev. 54 554
[7] Kumar M J, Venkataraman V 2006 IEEE Trans. Electron Dev. 53 1780
[8] Yao F, Xue C L, Cheng B W, Wang Q M 2007 Acta Phys. Sin. 56 6654 (in Chinese) [姚飞,薛春来,成步文,王启明 2007 物理学报 56 6654]
[9] Song J J, Zhang H M, Hu H Y, Dai X Y, Xuan R X 2007 Chin. Phys. 16 3827
[10] Kim S J, Shim T H, Choi K R, Park J G 2009 Semicond. Sci. Technol. 24 035014
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