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N型掺杂应变Ge发光性质

黄诗浩 李成 陈城钊 郑元宇 赖虹凯 陈松岩

N型掺杂应变Ge发光性质

黄诗浩, 李成, 陈城钊, 郑元宇, 赖虹凯, 陈松岩
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出版历程
  • 收稿日期:  2011-04-19
  • 修回日期:  2011-05-21
  • 刊出日期:  2012-03-15

N型掺杂应变Ge发光性质

  • 1. 厦门大学物理系, 半导体光子学研究中心, 厦门 361005;
  • 2. 信息功能材料国家重点实验室, 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 上海 200050
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展计划(批准号: 2007CB613404)、 国家自然科学基金(批准号: 61036003, 60837001)、 中央高校基础业务费项目(批准号: 2010121056)和 信息功能材料国家重点实验室开放课题资助的课题.

摘要: 应变锗材料具有准直接带特性,而且与标准硅工艺兼容,成为实现硅基发光器件重要的候选材料之一.本文基于vandeWalle形变势理论,计算了应变情况下半导体Ge材料的能带结构以及载流子在导带中的分布;通过分析载流子直接带和间接带间的辐射复合以及俄歇复合、位错等引起的非辐射复合的竞争,计算了N型掺杂张应变Ge材料直接带跃迁的内量子效率和光增益等发光性质.结果表明,张应变可有效增强Ge材料直接带隙跃迁发光.在1.5%张应变条件下,N型掺杂Ge的最大内量子效率可以达到74.6%,光增益可以与III-V族材料相比拟.

English Abstract

参考文献 (18)

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