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四方晶系应变Si空穴散射机制

宋建军 张鹤鸣 胡辉勇 王晓艳 王冠宇

四方晶系应变Si空穴散射机制

宋建军, 张鹤鸣, 胡辉勇, 王晓艳, 王冠宇
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出版历程
  • 收稿日期:  2011-06-17
  • 修回日期:  2011-07-13
  • 刊出日期:  2012-03-05

四方晶系应变Si空穴散射机制

  • 1. 西安电子科技大学微电子学院, 宽禁带半导体材料与器件重点实验室, 西安 710071
    基金项目: 

    中央高校基本科研业务费(批准号: 72105499, 72104089)和陕西省自然科学基础研究计划(批准号: 2010JQ8008).

摘要: 基于Fermi黄金法则及Boltzmann方程碰撞项近似理论, 推导建立了(001)弛豫Si1-xGex衬底外延四方晶系应变Si空穴散射几率与应力及能量的理论关系模型, 包括离化杂质、声学声子、非极性光学声子及总散射概率(能量40 meV时)模型. 结果表明: 当Ge组分(x)低于0.2时, 应变Si/(001)Si1-xGex材料空穴总散射概率随应力显著减小. 之后, 其随应力的变化趋于平缓. 与立方晶系未应变Si材料相比, 四方晶系应变Si材料空穴总散射概率最多可减小66%. 应变Si材料空穴迁移率增强与其散射概率的减小密切相关, 本文所得量化模型可为应变Si空穴迁移率及PMOS器件的研究与设计提供理论参考.

English Abstract

参考文献 (11)

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