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脉冲磁场下水热法制备Cr掺杂ZnO稀磁半导体晶体

朱明原 刘聪 薄伟强 舒佳武 胡业旻 金红明 王世伟 李瑛

脉冲磁场下水热法制备Cr掺杂ZnO稀磁半导体晶体

朱明原, 刘聪, 薄伟强, 舒佳武, 胡业旻, 金红明, 王世伟, 李瑛
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  • 本文以ZnCl2, CrCl3. 6H2O和氨水缓冲溶液为原料, 在4T脉冲磁场下水热法制备了Cr掺杂ZnO稀磁半导体晶体, 通过X射线衍射分析、扫描电子显微镜观察及采用振动样品磁强计进行磁性分析等, 探讨了脉冲磁场对其微观结构及磁性能的影响. 结果表明: Cr掺杂ZnO稀磁半导体晶体仍保持ZnO的六方纤锌矿结构, 脉冲磁场具有促进晶粒生长及取向排列的作用, 4T脉冲磁场条件下合成的Cr掺杂ZnO稀磁半导体具有良好的室温铁磁性, 其饱和磁化强度(Ms)为0.068 emu/g, 而无脉冲磁场情况下制备的样品室温下呈顺磁性, 并且, 脉冲磁场下制备将稀磁半导体的居里温度提高了16 K.
    • 基金项目: 上海市科委项目(批准号: 09dz1203602), 上海市教委科研创新项目(批准号: 09YZ27), 上海市重点学科建设项目(批准号: S30107)和教育部创新团队发展计划资助项目(批准号: IRT0739)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2011-06-04
  • 修回日期:  2012-04-05
  • 刊出日期:  2012-04-05

脉冲磁场下水热法制备Cr掺杂ZnO稀磁半导体晶体

  • 1. 上海大学微结构重点实验室, 上海大学材料科学与工程学院, 上海 200072
    基金项目: 

    上海市科委项目(批准号: 09dz1203602), 上海市教委科研创新项目(批准号: 09YZ27), 上海市重点学科建设项目(批准号: S30107)和教育部创新团队发展计划资助项目(批准号: IRT0739)资助的课题.

摘要: 本文以ZnCl2, CrCl3. 6H2O和氨水缓冲溶液为原料, 在4T脉冲磁场下水热法制备了Cr掺杂ZnO稀磁半导体晶体, 通过X射线衍射分析、扫描电子显微镜观察及采用振动样品磁强计进行磁性分析等, 探讨了脉冲磁场对其微观结构及磁性能的影响. 结果表明: Cr掺杂ZnO稀磁半导体晶体仍保持ZnO的六方纤锌矿结构, 脉冲磁场具有促进晶粒生长及取向排列的作用, 4T脉冲磁场条件下合成的Cr掺杂ZnO稀磁半导体具有良好的室温铁磁性, 其饱和磁化强度(Ms)为0.068 emu/g, 而无脉冲磁场情况下制备的样品室温下呈顺磁性, 并且, 脉冲磁场下制备将稀磁半导体的居里温度提高了16 K.

English Abstract

参考文献 (22)

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