搜索

文章查询

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

热压制备(AgSbTe2)100-x-(GeTe)x合金的热电性能

霍凤萍 吴荣归 徐桂英 牛四通

热压制备(AgSbTe2)100-x-(GeTe)x合金的热电性能

霍凤萍, 吴荣归, 徐桂英, 牛四通
PDF
导出引用
导出核心图
  • 以Pb粉、Te粉、Ag粉、Ge粉为原材料,在真空气氛下合成(AgSbTe2)100-x-(GeTe)x (x=8090) (TAGS)合金热电材料, X射线衍射(XRD)分析表明,热压烧结后合金具有低温菱形结构. 通过热压烧结法将TAGS粉末制备成块体材料,运用XRD和扫描电子显微镜对材料的物相成分、晶体结构和形貌进行了表征.采用直流四探针法测定样品的电导率,当样品两端的温差为14℃ 的情况下测量Seebeck系数.通过材料热电性能测试,研究了30500℃温度范围内不同组分 样品性能参数的变化.结果表明,所制备的TAGS热电材料具有纳米结构, 其性能随着组分的变化而变化, TAGS-80具有较好的热电性能,在530℃时具有最高热电优值(ZT=1.80).
    [1]

    Chen G, Dresselhaus M S, Dresselhaus G, Fleurial J P, Caillat T 2003 Int. Mater. Rev. 48 45

    [2]

    Goldsmid H J 1986 Electronic Refrigeration (London: Pion) p10

    [3]

    Rowe D M 1996 Conversion and Application of Thermoelectric Material (Beijing: Weapon Industry Press) pp2, 19 (in Chinese) [Rowe D M 1996 温差电转换及其应用(中译本)(北京:兵器工业出版社) 第2,19页]

    [4]

    Rosi F D, Dismukes J P, Hockings E F 1960 Electr. Eng. 79 450

    [5]

    Skrabek E, Trimmer D 1976 U. S. Patent 3945855

    [6]

    Skrabek E A 1974 Am. Soc. Mech. Eng. 33 160

    [7]

    Yang S H, Zhu T J, Zhao X B 2007 Func. Mater. 38 1365 (in Chinese) [杨胜辉, 朱铁军, 赵新兵 2007 功能材料 38 1365]

    [8]

    Zhang S N, He J, Ji X H 2009 J. Electron. Mater. 38 1142

    [9]

    Cui J L, Fu H, Yan Y M 2010 J. Electron. Mater. 39 1493

    [10]

    Yang S H, Zhu T J 2010 J. Electron. Mater. 39 2127

    [11]

    Cook B A, Wu X Z 2007 J. Mater. Lett. 42 7643

    [12]

    Yuefei A Φ 1958 Thermoelectric Dipole of Semiconductor (Beijing: Science Press) p28 (in Chinese) [约飞 A Φ 1958 半导体温差电偶(中译本)(北京:科学出版社) 第28页]

    [13]

    Liu E K, Zhu B S, Luo J S 2005 Physial of Semiconductor (6th ed) (Beijing: Electronic Industry Press) p372 (in Chinese) [刘恩科, 朱秉升, 罗晋生 2005 半导体物理学(第6版) (北京:电子工业出版社) 第372页]

  • [1]

    Chen G, Dresselhaus M S, Dresselhaus G, Fleurial J P, Caillat T 2003 Int. Mater. Rev. 48 45

    [2]

    Goldsmid H J 1986 Electronic Refrigeration (London: Pion) p10

    [3]

    Rowe D M 1996 Conversion and Application of Thermoelectric Material (Beijing: Weapon Industry Press) pp2, 19 (in Chinese) [Rowe D M 1996 温差电转换及其应用(中译本)(北京:兵器工业出版社) 第2,19页]

    [4]

    Rosi F D, Dismukes J P, Hockings E F 1960 Electr. Eng. 79 450

    [5]

    Skrabek E, Trimmer D 1976 U. S. Patent 3945855

    [6]

    Skrabek E A 1974 Am. Soc. Mech. Eng. 33 160

    [7]

    Yang S H, Zhu T J, Zhao X B 2007 Func. Mater. 38 1365 (in Chinese) [杨胜辉, 朱铁军, 赵新兵 2007 功能材料 38 1365]

    [8]

    Zhang S N, He J, Ji X H 2009 J. Electron. Mater. 38 1142

    [9]

    Cui J L, Fu H, Yan Y M 2010 J. Electron. Mater. 39 1493

    [10]

    Yang S H, Zhu T J 2010 J. Electron. Mater. 39 2127

    [11]

    Cook B A, Wu X Z 2007 J. Mater. Lett. 42 7643

    [12]

    Yuefei A Φ 1958 Thermoelectric Dipole of Semiconductor (Beijing: Science Press) p28 (in Chinese) [约飞 A Φ 1958 半导体温差电偶(中译本)(北京:科学出版社) 第28页]

    [13]

    Liu E K, Zhu B S, Luo J S 2005 Physial of Semiconductor (6th ed) (Beijing: Electronic Industry Press) p372 (in Chinese) [刘恩科, 朱秉升, 罗晋生 2005 半导体物理学(第6版) (北京:电子工业出版社) 第372页]

  • [1] 李闯, 李伟伟, 蔡理, 谢丹, 刘保军, 向兰, 杨晓阔, 董丹娜, 刘嘉豪, 陈亚博. 基于银纳米线电极-rGO敏感材料的柔性NO2气体传感器. 物理学报, 2020, 69(5): 058101. doi: 10.7498/aps.69.20191390
    [2] 梁琦, 王如志, 杨孟骐, 王长昊, 刘金伟. Al2O3衬底无催化剂生长GaN纳米线及其光学性能研究. 物理学报, 2020, (): . doi: 10.7498/aps.69.20191923
    [3] 翁明, 谢少毅, 殷明, 曹猛. 介质材料二次电子发射特性对微波击穿的影响. 物理学报, 2020, (): . doi: 10.7498/aps.69.20200026
    [4] 左富昌, 梅志武, 邓楼楼, 石永强, 贺盈波, 李连升, 周昊, 谢军, 张海力, 孙艳. 多层嵌套掠入射光学系统研制及在轨性能评价. 物理学报, 2020, 69(3): 030702. doi: 10.7498/aps.69.20191446
    [5] 廖天军, 吕贻祥. 热光伏能量转换器件的热力学极限与优化性能预测. 物理学报, 2020, 69(5): 057202. doi: 10.7498/aps.69.20191835
    [6] 方文玉, 张鹏程, 赵军, 康文斌. H, F修饰单层GeTe的电子结构与光催化性质. 物理学报, 2020, 69(5): 056301. doi: 10.7498/aps.69.20191391
    [7] 任县利, 张伟伟, 伍晓勇, 吴璐, 王月霞. 高熵合金短程有序现象的预测及其对结构的电子、磁性、力学性质的影响. 物理学报, 2020, 69(4): 046102. doi: 10.7498/aps.69.20191671
    [8] 梁晋洁, 高宁, 李玉红. 表面效应对铁\begin{document}${\left\langle 100 \right\rangle} $\end{document}间隙型位错环的影响. 物理学报, 2020, 69(3): 036101. doi: 10.7498/aps.69.20191379
    [9] 刘丽, 刘杰, 曾健, 翟鹏飞, 张胜霞, 徐丽君, 胡培培, 李宗臻, 艾文思. 快重离子辐照对YBa2Cu3O7-δ薄膜微观结构及载流特性的影响. 物理学报, 2020, (): . doi: 10.7498/aps.69.20191914
    [10] 汪静丽, 陈子玉, 陈鹤鸣. 基于Si3N4/SiNx/Si3N4三明治结构的偏振无关1 × 2多模干涉型解复用器的设计. 物理学报, 2020, 69(5): 054206. doi: 10.7498/aps.69.20191449
  • 引用本文:
    Citation:
计量
  • 文章访问数:  2344
  • PDF下载量:  840
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2011-05-13
  • 修回日期:  2012-04-28
  • 刊出日期:  2012-04-20

热压制备(AgSbTe2)100-x-(GeTe)x合金的热电性能

  • 1. 北京科技大学材料科学与工程学院, 北京市新能源材料重点实验室, 北京 100083

摘要: 以Pb粉、Te粉、Ag粉、Ge粉为原材料,在真空气氛下合成(AgSbTe2)100-x-(GeTe)x (x=8090) (TAGS)合金热电材料, X射线衍射(XRD)分析表明,热压烧结后合金具有低温菱形结构. 通过热压烧结法将TAGS粉末制备成块体材料,运用XRD和扫描电子显微镜对材料的物相成分、晶体结构和形貌进行了表征.采用直流四探针法测定样品的电导率,当样品两端的温差为14℃ 的情况下测量Seebeck系数.通过材料热电性能测试,研究了30500℃温度范围内不同组分 样品性能参数的变化.结果表明,所制备的TAGS热电材料具有纳米结构, 其性能随着组分的变化而变化, TAGS-80具有较好的热电性能,在530℃时具有最高热电优值(ZT=1.80).

English Abstract

参考文献 (13)

目录

    /

    返回文章
    返回