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非晶硅薄膜晶体管沟道中阈值电压及温度的分布

强蕾 姚若河

非晶硅薄膜晶体管沟道中阈值电压及温度的分布

强蕾, 姚若河
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出版历程
  • 收稿日期:  2011-07-06
  • 修回日期:  2012-04-28
  • 刊出日期:  2012-04-20

非晶硅薄膜晶体管沟道中阈值电压及温度的分布

  • 1. 华南理工大学电子与信息学院, 广州 510640
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号: 60776020)资助的课题.

摘要: 基于氢化非晶硅薄膜晶体管(a-Si:H TFT)沟道中陷阱态的双指数分布, 区分了带尾陷阱态和深能级陷阱态的特征温度.利用源端、漏端串联电阻及沟道电阻, 将源端和漏端特征长度与有源层接触长度、SiO2/氢化非晶硅 (a-Si:H)界面陷阱态及a-Si:H薄膜内陷阱态联系起来. 由串联电阻上电流密度相等解出沟道势. 通过泊松方程和高斯定理 得出a-Si:H TFT沟道各点的阈值电压表达式, 结果表明 沟道中某一点的阈值电压随着该点与源端距离的增大而减小. 在此基础上, 研究了自加热效应引起沟道各点温度的变化, 结果显示a-Si:H TFT在自加热效应下, 从源端到漏端各点温度变化先增大后减小, 沟道中心的温度变化最大.

English Abstract

参考文献 (18)

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