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Ta掺杂对ZnO光电材料性能影响的研究

宫丽 冯现徉 逯瑶 张昌文 王培吉

Ta掺杂对ZnO光电材料性能影响的研究

宫丽, 冯现徉, 逯瑶, 张昌文, 王培吉
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  • 采用基于密度泛函理论第一性原理的方法, 研究了Ta掺杂ZnO的电子结构和光学性质. 计算结果表明: 掺入Ta原子后, 费米能级进入导带, 随着掺杂浓度的增加, 带隙逐渐变窄, 介电函数虚部、吸收系数、反射率和折射率均发生明显变化, 介电函数虚部和反射率均向高能方向移动, 吸收边发生红移, 从理论上指出了光学性质和电子结构的内在联系.
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号: 61172028), 山东省自然科学基金(批准号: ZR2010EL017) 和济南大学博士基金 (批准号: xbs01043)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2011-09-01
  • 修回日期:  2012-05-10
  • 刊出日期:  2012-05-05

Ta掺杂对ZnO光电材料性能影响的研究

  • 1. 济南大学物理学院, 济南 250022
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号: 61172028), 山东省自然科学基金(批准号: ZR2010EL017) 和济南大学博士基金 (批准号: xbs01043)资助的课题.

摘要: 采用基于密度泛函理论第一性原理的方法, 研究了Ta掺杂ZnO的电子结构和光学性质. 计算结果表明: 掺入Ta原子后, 费米能级进入导带, 随着掺杂浓度的增加, 带隙逐渐变窄, 介电函数虚部、吸收系数、反射率和折射率均发生明显变化, 介电函数虚部和反射率均向高能方向移动, 吸收边发生红移, 从理论上指出了光学性质和电子结构的内在联系.

English Abstract

参考文献 (18)

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