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单轴应变Si导带色散关系解析模型

王冠宇 宋建军 张鹤鸣 胡辉勇 马建立 王晓艳

单轴应变Si导带色散关系解析模型

王冠宇, 宋建军, 张鹤鸣, 胡辉勇, 马建立, 王晓艳
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出版历程
  • 收稿日期:  2011-07-25
  • 修回日期:  2012-05-10
  • 刊出日期:  2012-05-05

单轴应变Si导带色散关系解析模型

  • 1. 西安电子科技大学微电子学院, 宽禁带半导体材料与器件重点实验室, 西安 710071
    基金项目: 

    国家部委项目(批准号: 51308040203, 6139801), 中央高校基本科研业务费(批准号: 72105499, 72104089), 陕西省自然科学基础研究计划项目(批准号: 2010JQ8008)资助的课题.

摘要: 本文基于kp 理论框架, 分析了单轴应力对导带能带结构的影响, 详细讨论了剪切应力作用下布里渊区边界X点处1和2 能带之间的耦合作用及其对导带能谷极小值的改变, 由此进一步给出了能谷极值点附近的色散关系. 最后通过不同能谷之间的坐标变换, 得到了任意单轴应力作用下每个能谷的色散关系. 本文的研究可以为单轴应变Si材料物理性质的理解以及对反型层能带结构、电学特性的相关研究提供一定的理论参考.

English Abstract

参考文献 (10)

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