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缺陷分布对Ag-SiO2薄膜电阻翻转效应的影响

张培健 孟洋 刘紫玉 潘新宇 梁学锦 陈东敏 赵宏武

缺陷分布对Ag-SiO2薄膜电阻翻转效应的影响

张培健, 孟洋, 刘紫玉, 潘新宇, 梁学锦, 陈东敏, 赵宏武
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  • 通过改变制备条件,研究了Ag-SiO2薄膜中的缺陷对电阻翻转效应的影响.对比不同的热处理实验条件, 发现在120 ℃退火的样品经forming过程后具有稳定的电阻转变特性;另一方面, 在Ar/O2混合气氛下生长的SiO2具有比在纯Ar下生长的样品更加稳定、重复的电阻转变特性. 通过实验分析,表明热处理、电场作用和样品制备气氛可以改变、调节样品中的缺陷分布 (Ag填隙原子和氧空位缺陷),从而导致Ag-SiO2中基于缺陷的导电通道结构的形成和湮灭, 提出了提高电阻翻转稳定性的必要条件.
    • 基金项目: 国家重点基础研究发展规划项目(批准号: 2007CB925002和2009CB930803) 和中国科学院知识创新工程项目(批准号: KJCX2-YW-W24)资助的课题.
    [1]

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    Yang J J, Pickett M D, Li X M, Ohlberg D A A, Stewart D R, Williams R S 2008 Nat. Nanotech. 3 429

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  • [1]

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  • [1] 张战刚, 雷志锋, 童腾, 李晓辉, 王松林, 梁天骄, 习凯, 彭超, 何玉娟, 黄云, 恩云飞. 14 nm FinFET和65 nm平面工艺静态随机存取存储器中子单粒子翻转对比. 物理学报, 2020, 69(5): 056101. doi: 10.7498/aps.69.20191209
    [2] 朱肖丽, 胡耀垓, 赵正予, 张援农. 钡和铯释放的电离层扰动效应对比. 物理学报, 2020, 69(2): 029401. doi: 10.7498/aps.69.20191266
    [3] 梁晋洁, 高宁, 李玉红. 表面效应对铁\begin{document}${\left\langle 100 \right\rangle} $\end{document}间隙型位错环的影响. 物理学报, 2020, 69(3): 036101. doi: 10.7498/aps.69.20191379
    [4] 卢超, 陈伟, 罗尹虹, 丁李利, 王勋, 赵雯, 郭晓强, 李赛. 纳米体硅鳍形场效应晶体管单粒子瞬态中的源漏导通现象研究. 物理学报, 2020, (): . doi: 10.7498/aps.69.20191896
  • 引用本文:
    Citation:
计量
  • 文章访问数:  1562
  • PDF下载量:  701
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2011-07-19
  • 修回日期:  2012-05-28
  • 刊出日期:  2012-05-20

缺陷分布对Ag-SiO2薄膜电阻翻转效应的影响

  • 1. 北京凝聚态物理国家实验室,中国科学院物理研究所, 北京 100190
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展规划项目(批准号: 2007CB925002和2009CB930803) 和中国科学院知识创新工程项目(批准号: KJCX2-YW-W24)资助的课题.

摘要: 通过改变制备条件,研究了Ag-SiO2薄膜中的缺陷对电阻翻转效应的影响.对比不同的热处理实验条件, 发现在120 ℃退火的样品经forming过程后具有稳定的电阻转变特性;另一方面, 在Ar/O2混合气氛下生长的SiO2具有比在纯Ar下生长的样品更加稳定、重复的电阻转变特性. 通过实验分析,表明热处理、电场作用和样品制备气氛可以改变、调节样品中的缺陷分布 (Ag填隙原子和氧空位缺陷),从而导致Ag-SiO2中基于缺陷的导电通道结构的形成和湮灭, 提出了提高电阻翻转稳定性的必要条件.

English Abstract

参考文献 (34)

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