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缺陷分布对Ag-SiO2薄膜电阻翻转效应的影响

张培健 孟洋 刘紫玉 潘新宇 梁学锦 陈东敏 赵宏武

缺陷分布对Ag-SiO2薄膜电阻翻转效应的影响

张培健, 孟洋, 刘紫玉, 潘新宇, 梁学锦, 陈东敏, 赵宏武
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  • 通过改变制备条件,研究了Ag-SiO2薄膜中的缺陷对电阻翻转效应的影响.对比不同的热处理实验条件, 发现在120 ℃退火的样品经forming过程后具有稳定的电阻转变特性;另一方面, 在Ar/O2混合气氛下生长的SiO2具有比在纯Ar下生长的样品更加稳定、重复的电阻转变特性. 通过实验分析,表明热处理、电场作用和样品制备气氛可以改变、调节样品中的缺陷分布 (Ag填隙原子和氧空位缺陷),从而导致Ag-SiO2中基于缺陷的导电通道结构的形成和湮灭, 提出了提高电阻翻转稳定性的必要条件.
    • 基金项目: 国家重点基础研究发展规划项目(批准号: 2007CB925002和2009CB930803) 和中国科学院知识创新工程项目(批准号: KJCX2-YW-W24)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2011-07-19
  • 修回日期:  2012-05-28
  • 刊出日期:  2012-05-05

缺陷分布对Ag-SiO2薄膜电阻翻转效应的影响

  • 1. 北京凝聚态物理国家实验室,中国科学院物理研究所, 北京 100190
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展规划项目(批准号: 2007CB925002和2009CB930803) 和中国科学院知识创新工程项目(批准号: KJCX2-YW-W24)资助的课题.

摘要: 通过改变制备条件,研究了Ag-SiO2薄膜中的缺陷对电阻翻转效应的影响.对比不同的热处理实验条件, 发现在120 ℃退火的样品经forming过程后具有稳定的电阻转变特性;另一方面, 在Ar/O2混合气氛下生长的SiO2具有比在纯Ar下生长的样品更加稳定、重复的电阻转变特性. 通过实验分析,表明热处理、电场作用和样品制备气氛可以改变、调节样品中的缺陷分布 (Ag填隙原子和氧空位缺陷),从而导致Ag-SiO2中基于缺陷的导电通道结构的形成和湮灭, 提出了提高电阻翻转稳定性的必要条件.

English Abstract

参考文献 (34)

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