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金属-氧化物-半导体场效应管辐射效应模型研究

孙鹏 杜磊 陈文豪 何亮 张晓芳

金属-氧化物-半导体场效应管辐射效应模型研究

孙鹏, 杜磊, 陈文豪, 何亮, 张晓芳
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出版历程
  • 收稿日期:  2011-09-15
  • 修回日期:  2012-05-28
  • 刊出日期:  2012-05-05

金属-氧化物-半导体场效应管辐射效应模型研究

  • 1. 西安电子科技大学技术物理学院, 西安 710071
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号: 61106062)资助的课题.

摘要: 基于氧化层陷阱电荷以及界面陷阱电荷的产生动力学以及辐射应力损伤的微观机理,推导出了金属-氧化物-半导体场效应管(MOSFET)中辐射应力引起的氧化层陷阱电荷、界面陷阱电荷导致的阈值电压漂移量与辐射剂量之间定量关系的模型. 根据模型可以得到:低剂量情况下,氧化层陷阱电荷与界面陷阱电荷导致的阈值电压漂移量与辐射剂量成正比;高剂量情况下,氧化层陷阱电荷导致的阈值电压漂移量发生饱和, 其峰值与辐射剂量无关,界面陷阱电荷导致的阈值电压漂移量与辐射剂量呈指数关系. 另外,模型还表明氧化层陷阱电荷与界面陷阱电荷在不同的辐射剂量点开始产生饱和现象, 其中界面陷阱电荷先于氧化层陷阱电荷产生饱和现象.最后,用实验验证了该模型的正确性. 该模型可以较为准确地预测辐射应力作用下MOSFET的退化情况.

English Abstract

参考文献 (19)

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