搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

线偏振光电位移矢量振动方向对InGaP/InGaAs/Ge三结太阳电池开路电压的影响

肖文波 何兴道 高益庆

线偏振光电位移矢量振动方向对InGaP/InGaAs/Ge三结太阳电池开路电压的影响

肖文波, 何兴道, 高益庆
PDF
导出引用
  • 研究了线偏振光振动方向对InGaP/InGaAs/Ge三结太阳电池开路电压的影响, 结果表明开路电压随线偏振光电位移矢量振动方向按周期性变化,变化的幅度在1%4%左右.理论分析证实了线偏振光电位移矢量的调制可以改变太阳电池的输出开路电压,是由于三结太阳电池晶体结构以及应力影响导致能带结构出现各向异性产生的. 此外,实验结合理论分析,研究了三结太阳电池开路电压随光照度的变化关系, 得出开路电压随光强变化成对数关系.拟合结果说明三结级联太阳电池可以简单看成三个单结太阳电池串联,其理想因子接近6,是由于三结太阳电池中缺陷影响的结果.
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号: 10904059, 41066001, 61072131, 61177096)、 航空科学基金(批准号: 2010ZB56004)、江西省教育厅基金(批准号: GJJ11176)和 无损检测技术教育部重点实验室开放基金(批准号: ZD201029005)资助的课题.
    [1]

    Shah A, Torres P, Tscharner R, Wyrsch N, Keppner H 1999 Scinece 258 692

    [2]

    Goetzberger A, Luther J, Willeke G 2002 Solar Cells 74 1

    [3]

    Singh P, Singh S N, Lal M, Husain M 2008 Sol. Energy Mater. Sol. Cells 92 1611

    [4]

    Breitenstein O, Bauer J, Rakotoniaina J P 2007 Semiconductors 41 440

    [5]

    Rud' V Yu, Rud' Yu V, Khvostikov V P 1999 Semiconductors 33 689

    [6]

    Hagglund C, Zach M, Petersson G, Kasemo B 2008 Appl. Phys. Lett. 92 053110

    [7]

    zutic I, Fabian J, Sarma S D 2010 Phys. Rev. B 64 121201(R)

    [8]

    Baur C, Bett A W, Dimroth F, Siefer G, Meusel M, Bensch W, Köstler W, Strobl G 2007 J. Sol. Energy Eng. 129 258

    [9]

    Nishioka K, Takamotob T, Agui T, Kaneiwab M, Uraokac Y, Fuyuki T 2006 Sol. Energy Mater. Sol. Cells 90 1308

    [10]

    Nishioka K, Sueto T, Uchida M, Ota Y 2010 J. Electron. Mater. 39 704

    [11]

    Chen M B, Cui R Q, Wang L X, Zhang Z W, Lu J F, Chi W Y 2004 Acta Phys. Sin 53 3632 (in Chinese) [陈鸣波, 崔容强, 王亮兴, 张忠卫, 陆剑峰, 池卫英 2004 物理学报 53 3632]

    [12]

    Liu L, Chen N F, Wang Y, Bai Y M, Cui M, Gao F B 2009 Chin. Sci. Bull. 54 16 (in Chinese) [刘磊, 陈诺夫, 汪宇, 白一鸣, 崔敏, 高福宝 2009 科学通报 54 16]

    [13]

    Zheng X X, Zhang X D, Yang S S, Wang G H, Xu S Z, Wei C C, Sun J, Geng X H, Xiong S Z, Zhao Y 2011 Acta Phys. Sin. 60 068801 (in Chinese) [郑新霞, 张晓丹, 杨素素, 王光红, 许盛之, 魏长春, 孙建, 耿新华, 熊绍珍, 赵颖 2011 物理学报 60 068801]

    [14]

    Xiao Y G, Li Z Q, Li Z M S 2008 Proc. SPIE 7043 70430B

    [15]

    Xia J B, Zhu B F 1995 Semiconductor Superlattice Physics (Shanghai: Shanghai Science and Technology Press) pp427-432 (in Chinese) [夏建白, 朱邦芬 1995 半导体超晶格物理 (上海科学技术出版社) 第427-432页]

    [16]

    Huang K, Zhu B F 1991 Chin. J. Semicond. 12 193 (in Chinese) [黄昆, 朱邦芬 1991 半导体学报 12 193]

    [17]

    Hu J M, Wu Y Y, Qian Y, Yang D Z, He S Y 2009 Acta Phys. Sin. 58 5051 (in Chinese) [胡建民, 吴宜勇, 钱勇, 杨德庄, 何世禹 2009 物理学报 58 5051]

    [18]

    Mártil I, Redondo E, Ojeda A 1997 J. Appl. Phys. 81 2442

  • [1]

    Shah A, Torres P, Tscharner R, Wyrsch N, Keppner H 1999 Scinece 258 692

    [2]

    Goetzberger A, Luther J, Willeke G 2002 Solar Cells 74 1

    [3]

    Singh P, Singh S N, Lal M, Husain M 2008 Sol. Energy Mater. Sol. Cells 92 1611

    [4]

    Breitenstein O, Bauer J, Rakotoniaina J P 2007 Semiconductors 41 440

    [5]

    Rud' V Yu, Rud' Yu V, Khvostikov V P 1999 Semiconductors 33 689

    [6]

    Hagglund C, Zach M, Petersson G, Kasemo B 2008 Appl. Phys. Lett. 92 053110

    [7]

    zutic I, Fabian J, Sarma S D 2010 Phys. Rev. B 64 121201(R)

    [8]

    Baur C, Bett A W, Dimroth F, Siefer G, Meusel M, Bensch W, Köstler W, Strobl G 2007 J. Sol. Energy Eng. 129 258

    [9]

    Nishioka K, Takamotob T, Agui T, Kaneiwab M, Uraokac Y, Fuyuki T 2006 Sol. Energy Mater. Sol. Cells 90 1308

    [10]

    Nishioka K, Sueto T, Uchida M, Ota Y 2010 J. Electron. Mater. 39 704

    [11]

    Chen M B, Cui R Q, Wang L X, Zhang Z W, Lu J F, Chi W Y 2004 Acta Phys. Sin 53 3632 (in Chinese) [陈鸣波, 崔容强, 王亮兴, 张忠卫, 陆剑峰, 池卫英 2004 物理学报 53 3632]

    [12]

    Liu L, Chen N F, Wang Y, Bai Y M, Cui M, Gao F B 2009 Chin. Sci. Bull. 54 16 (in Chinese) [刘磊, 陈诺夫, 汪宇, 白一鸣, 崔敏, 高福宝 2009 科学通报 54 16]

    [13]

    Zheng X X, Zhang X D, Yang S S, Wang G H, Xu S Z, Wei C C, Sun J, Geng X H, Xiong S Z, Zhao Y 2011 Acta Phys. Sin. 60 068801 (in Chinese) [郑新霞, 张晓丹, 杨素素, 王光红, 许盛之, 魏长春, 孙建, 耿新华, 熊绍珍, 赵颖 2011 物理学报 60 068801]

    [14]

    Xiao Y G, Li Z Q, Li Z M S 2008 Proc. SPIE 7043 70430B

    [15]

    Xia J B, Zhu B F 1995 Semiconductor Superlattice Physics (Shanghai: Shanghai Science and Technology Press) pp427-432 (in Chinese) [夏建白, 朱邦芬 1995 半导体超晶格物理 (上海科学技术出版社) 第427-432页]

    [16]

    Huang K, Zhu B F 1991 Chin. J. Semicond. 12 193 (in Chinese) [黄昆, 朱邦芬 1991 半导体学报 12 193]

    [17]

    Hu J M, Wu Y Y, Qian Y, Yang D Z, He S Y 2009 Acta Phys. Sin. 58 5051 (in Chinese) [胡建民, 吴宜勇, 钱勇, 杨德庄, 何世禹 2009 物理学报 58 5051]

    [18]

    Mártil I, Redondo E, Ojeda A 1997 J. Appl. Phys. 81 2442

  • 引用本文:
    Citation:
计量
  • 文章访问数:  3430
  • PDF下载量:  557
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2011-08-29
  • 修回日期:  2012-05-28
  • 刊出日期:  2012-05-05

线偏振光电位移矢量振动方向对InGaP/InGaAs/Ge三结太阳电池开路电压的影响

  • 1. 南昌航空大学无损检测技术教育部重点实验室, 南昌 330063
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号: 10904059, 41066001, 61072131, 61177096)、 航空科学基金(批准号: 2010ZB56004)、江西省教育厅基金(批准号: GJJ11176)和 无损检测技术教育部重点实验室开放基金(批准号: ZD201029005)资助的课题.

摘要: 研究了线偏振光振动方向对InGaP/InGaAs/Ge三结太阳电池开路电压的影响, 结果表明开路电压随线偏振光电位移矢量振动方向按周期性变化,变化的幅度在1%4%左右.理论分析证实了线偏振光电位移矢量的调制可以改变太阳电池的输出开路电压,是由于三结太阳电池晶体结构以及应力影响导致能带结构出现各向异性产生的. 此外,实验结合理论分析,研究了三结太阳电池开路电压随光照度的变化关系, 得出开路电压随光强变化成对数关系.拟合结果说明三结级联太阳电池可以简单看成三个单结太阳电池串联,其理想因子接近6,是由于三结太阳电池中缺陷影响的结果.

English Abstract

参考文献 (18)

目录

    /

    返回文章
    返回