搜索

文章查询

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

第一原理研究Sn(O1-xNx)2材料的光电磁性质

张国莲 逯瑶 蒋雷 王喆 张昌文 王培吉

第一原理研究Sn(O1-xNx)2材料的光电磁性质

张国莲, 逯瑶, 蒋雷, 王喆, 张昌文, 王培吉
PDF
导出引用
导出核心图
计量
  • 文章访问数:  1972
  • PDF下载量:  1056
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2011-07-25
  • 修回日期:  2012-06-05
  • 刊出日期:  2012-06-05

第一原理研究Sn(O1-xNx)2材料的光电磁性质

  • 1. 济南大学物理科学学院, 济南 250022
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号: 61172028)、山东省自然科学基金(批准号: ZR2010EL017)和济南大学博士基金(批准号: xbs1043)资助的课题.

摘要: 基于第一原理的密度泛函理论, 以量子化学从头计算软件 为平台研究了Sn(O1-xNx)2材料的光电磁性能, 分析了体系的态密度、能带结构、磁性、介电虚部及折射率. 计算结果表明, N替代O后, 随着掺杂浓度的增加, 体系的带隙先减小后增大, 掺杂量为12.50%时带隙最窄. 由于N 2p轨道电子的贡献, 在0.551.05 eV范围内产生了浅受主能级, 价带和导带处的能级均出现了劈裂及轨道的重叠现象, SnO键的键强大于NO键的键强. 从磁性来看, N原子决定了磁矩的大小. 从介电虚部可知, 掺杂后体系的光学吸收边增宽, 主跃迁峰发生红移, 反射率和介电谱相对应, 各峰值与电子的跃迁吸收有关.

English Abstract

参考文献 (14)

目录

    /

    返回文章
    返回