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基于自洽GW方法的碳化硅准粒子能带结构计算

高尚鹏 祝桐

基于自洽GW方法的碳化硅准粒子能带结构计算

高尚鹏, 祝桐
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  • 在多体微扰理论的框架下, 分别采用G0W0方法和准粒子自洽GW方法计算3C-SiC和2H-SiC的准粒子能级. 由一个平均Monkhorst-Pack网格点上的准粒子能级和准粒子波函数出发, 结合最局域Wannier函数插值, 得到3C-SiC和2H-SiC的自洽准粒子能带结构. 3C-SiC的价带顶在点, 导带底在X点. DFT-LDA, G0W0和准粒子自洽GW给出的3C-SiC间接禁带宽度分别为 1.30 eV, 2.23 eV和2.88 eV. 2H-SiC价带顶在 点, 导带底在K点. 采用DFT-LDA, G0W0和准粒子自洽GW方法得到的间接禁带宽度分别为2.12 eV, 3.12 eV和 3.75 eV. 计算基于赝势方法, 对于3C-SiC和2H-SiC的准粒子自洽GW计算给出的禁带宽度均比实验值略大.
    • 基金项目: 国家重点基础研究发展计划(批准号:2011CB606403)和 国家自然科学基金(批准号:10804018)资助的课题.
    [1]

    Schilfgaarde M V, Kotani T K, Faleev S 2006 Phys. Rev. Lett 96 226402

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出版历程
  • 收稿日期:  2012-01-21
  • 修回日期:  2012-04-05
  • 刊出日期:  2012-07-05

基于自洽GW方法的碳化硅准粒子能带结构计算

  • 1. 复旦大学材料科学系, 上海 200433
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展计划(批准号:2011CB606403)和 国家自然科学基金(批准号:10804018)资助的课题.

摘要: 在多体微扰理论的框架下, 分别采用G0W0方法和准粒子自洽GW方法计算3C-SiC和2H-SiC的准粒子能级. 由一个平均Monkhorst-Pack网格点上的准粒子能级和准粒子波函数出发, 结合最局域Wannier函数插值, 得到3C-SiC和2H-SiC的自洽准粒子能带结构. 3C-SiC的价带顶在点, 导带底在X点. DFT-LDA, G0W0和准粒子自洽GW给出的3C-SiC间接禁带宽度分别为 1.30 eV, 2.23 eV和2.88 eV. 2H-SiC价带顶在 点, 导带底在K点. 采用DFT-LDA, G0W0和准粒子自洽GW方法得到的间接禁带宽度分别为2.12 eV, 3.12 eV和 3.75 eV. 计算基于赝势方法, 对于3C-SiC和2H-SiC的准粒子自洽GW计算给出的禁带宽度均比实验值略大.

English Abstract

参考文献 (32)

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