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等离子体浸没离子注入制备黑硅抗反射层及其光学特性研究

刘杰 刘邦武 夏洋 李超波 刘肃

等离子体浸没离子注入制备黑硅抗反射层及其光学特性研究

刘杰, 刘邦武, 夏洋, 李超波, 刘肃
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出版历程
  • 收稿日期:  2011-11-30
  • 修回日期:  2011-12-28
  • 刊出日期:  2012-07-20

等离子体浸没离子注入制备黑硅抗反射层及其光学特性研究

  • 1. 兰州大学物理科学与技术学院, 兰州 730000;
  • 2. 中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室, 北京 100029
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号: 61106060)和中国科学院科研装备研制项目(批准号: YZ200755)资助的课题.

摘要: 表面织构是一种有效降低表面反射率、提高硅基太阳能电池效率的方法. 采用等离子体浸没离子注入的方法制备了黑硅抗反射层.分别通过原子力显微镜和紫外-可见-近红外分光光度计对黑硅样品表面形貌和反射率进行分析, 结果发现黑硅样品表面布满了高度为0550 nm的山峰状结构, 结构层中硅体积分数和折射率随抗反射层厚度增加而连续降低. 在3001000 nm波段范围内,黑硅样品的加权平均反射率低至6.0%. 通过传递矩阵方法对黑硅样品反射谱进行模拟,得到的反射谱与实测反射谱非常符合.

English Abstract

参考文献 (12)

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