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氧化硅团簇切削单晶硅粗糙峰的分子动力学模拟研究

司丽娜 郭丹 雒建斌

氧化硅团簇切削单晶硅粗糙峰的分子动力学模拟研究

司丽娜, 郭丹, 雒建斌
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出版历程
  • 收稿日期:  2011-12-04
  • 修回日期:  2012-02-05
  • 刊出日期:  2012-08-05

氧化硅团簇切削单晶硅粗糙峰的分子动力学模拟研究

  • 1. 清华大学摩擦学国家重点实验室, 北京 100084
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展计划(批准号: 2009CB724201)

    国家自然科学基金 (批准号: 91023016)和国家自然科学基金创新研究群体科学基金 (批准号: 51021064)资助的课题.

摘要: 应用分子动力学模拟方法研究了氧化硅团簇在不同的切削 深度下切削单晶硅粗糙峰的过程, 考察了切削过程中粗糙峰和氧化硅团簇形态变化、团簇的受力状况、粗糙峰原子配位数和温度分布等. 模拟结果表明: 切削深度小于0.5 nm时, 被去除的材料以原子或者原子簇形式存在, 并黏附在颗粒表面被带走; 当切削深度增大至1 nm时, 材料的去除率增大, 并形成大的切屑. 在切削过程中, 由于压力和温度的升高, 粗糙峰切削区域的单晶硅转变为类似Si-Ⅱ相和Bct5-Si相的过渡结构, 在切削过程后的卸载阶段, 过渡结构由于压力和温度的下降转变为非晶态结构.

English Abstract

参考文献 (24)

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