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渐变型量子阱垒层厚度对GaN基双波长发光二极管发光特性调控的研究

陈峻 范广涵 张运炎

渐变型量子阱垒层厚度对GaN基双波长发光二极管发光特性调控的研究

陈峻, 范广涵, 张运炎
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  • 采用软件理论分析的方法对渐变型量子阱垒层厚度的InGaN双波长发光二极(LED)的载流子浓度分布、 能带结构、自发发射谱、内量子效率、发光功率及溢出电子流等进行研究.分析结果表明, 增大量子阱垒层厚度会影响空穴在各量子阱的注入情况, 对双波长LED各量子阱中空穴浓度分布的 均衡性及双波长发光光谱的调控起到一定作用,但会导致内量子效率严重下降; 而当以特定的方式从n电极到p电极方向递减渐变量子阱垒层厚度时, 活性层量子阱的溢出电子流 得到有效的控制, 双发光峰强度达到基本一致, 同时芯片的内量子效率下降得到了有效控制, 且具备大驱动电流下较好的发光特性.
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号: 61176043); 广东省战略性新兴产业专项资金(批准号: 2010A081002005)和广东省教育部产学研结合计划(批准号: 2010B090400192)资助的课题.
    [1]

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    [4] 张运炎, 范广涵, 章勇, 郑树文. 掺杂GaN间隔层对双波长发光二极管光谱调控作用的研究. 物理学报, 2011, 60(2): 028503. doi: 10.7498/aps.60.028503
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    [20] 刘旭阳, 张贺秋, 李冰冰, 刘俊, 薛东阳, 王恒山, 梁红伟, 夏晓川. AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管温度传感器特性. 物理学报, 2020, 69(4): 047201. doi: 10.7498/aps.69.20190640
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出版历程
  • 收稿日期:  2012-01-16
  • 修回日期:  2012-03-04
  • 刊出日期:  2012-09-05

渐变型量子阱垒层厚度对GaN基双波长发光二极管发光特性调控的研究

  • 1. 广东工业大学实验教学部, 广州 510006;
  • 2. 华南师范大学光电子材料与技术研究所, 广州 510631
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号: 61176043)

    广东省战略性新兴产业专项资金(批准号: 2010A081002005)和广东省教育部产学研结合计划(批准号: 2010B090400192)资助的课题.

摘要: 采用软件理论分析的方法对渐变型量子阱垒层厚度的InGaN双波长发光二极(LED)的载流子浓度分布、 能带结构、自发发射谱、内量子效率、发光功率及溢出电子流等进行研究.分析结果表明, 增大量子阱垒层厚度会影响空穴在各量子阱的注入情况, 对双波长LED各量子阱中空穴浓度分布的 均衡性及双波长发光光谱的调控起到一定作用,但会导致内量子效率严重下降; 而当以特定的方式从n电极到p电极方向递减渐变量子阱垒层厚度时, 活性层量子阱的溢出电子流 得到有效的控制, 双发光峰强度达到基本一致, 同时芯片的内量子效率下降得到了有效控制, 且具备大驱动电流下较好的发光特性.

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