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氧含量对CaCu3Ti4O12巨介电常数和介电过程的影响

杨昌平 李旻奕 宋学平 肖海波 徐玲芳

氧含量对CaCu3Ti4O12巨介电常数和介电过程的影响

杨昌平, 李旻奕, 宋学平, 肖海波, 徐玲芳
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出版历程
  • 收稿日期:  2012-01-11
  • 修回日期:  2012-04-15

氧含量对CaCu3Ti4O12巨介电常数和介电过程的影响

  • 1. 湖北大学物理与电子技术学院, 武汉 430062
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号: 11074067, 11174073) 和教育部新世纪优秀人才支持计划(批准号: NCET-08-0674) 资助的课题.

摘要: 本文研究了在真空、空气和氧气中烧结制备的三种 CaCu3Ti4O12陶瓷材料的介电特性. 交流阻抗测量结果表明在10—300 K温度范围, 三种样品的介电温谱中均出现三个平台, 其电阻实部和电容虚部在相应温度出现损耗峰, 真空条件烧结的样品具有较高的介电平台和较明显的电阻实部与电容虚部峰值, 表明氧含量和氧空位对CaCu3Ti4O12的介电性质具有重要影响, 介电温谱出现的三个平台分别源于晶粒、晶界及氧空位陷阱.温谱分析表明晶粒的激活能与烧结气氛有较大关系,氧空位引起的电子短程跳跃及跳跃产生的极化子是晶粒电导和电容的主要起源.氧空位陷阱的激活能基本与烧结气氛无关,约为0.46 eV. 氧空位对载流子的陷阱作用是CaCu3Ti4O12 低频高介电常数的重要起源.

English Abstract

参考文献 (16)

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