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直流三极溅射法制备CuInS2 薄膜

于丹阳 小林康之 小林敏志

直流三极溅射法制备CuInS2 薄膜

于丹阳, 小林康之, 小林敏志
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出版历程
  • 收稿日期:  2012-01-30
  • 修回日期:  2012-04-03

直流三极溅射法制备CuInS2 薄膜

  • 1. 上海大学材料科学与工程学院, 电子信息材料系,上海 200072;
  • 2. 日本新潟大学电气电子工学研究科, 小林研究室, 日本 950-2181

摘要: 采用直流三极溅射装置制备获得了CuInS2薄膜, 其中溅射靶采用一定面积比的[Cu]/[In]混合靶,反应气体采用CS2气体. 本文中主要研究了0.02 Pa分压反应气体条件下不同面积比的[Cu]/[In]混合靶和沉积基板温度对CuInS2薄膜结构和成分的影响, 其中CuInS2薄膜制备所用时间为2 h生长的厚度为1—2 μm. 通过对CuInS2薄膜的EPMA, X射线衍射测试分析表明, 最佳的CuInS2薄膜可在面积比[Cu]/[In]混合靶为1.4:1和可控温度(150, 250和350 ℃)的条件下制备获得, 并且其结构被确认为黄铜矿结构. 通过实验结果计算出CuInS2薄膜层有约为8.9%的C杂质含量.

English Abstract

参考文献 (11)

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