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基于缺陷光子晶体结构的GaN基发光二极管光提取效率的有关研究

岳庆炀 孔凡敏 李康 赵佳

基于缺陷光子晶体结构的GaN基发光二极管光提取效率的有关研究

岳庆炀, 孔凡敏, 李康, 赵佳
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出版历程
  • 收稿日期:  2012-02-13
  • 修回日期:  2012-05-09
  • 刊出日期:  2012-10-05

基于缺陷光子晶体结构的GaN基发光二极管光提取效率的有关研究

  • 1. 山东大学信息科学与工程学院, 济南 250100
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展计划(批准号: 2009CB930503, 2009CB930501)和国家自然科学基金(批准号: 61077043)资助的课题.

摘要: 现有的研究表明,利用光子晶体可以有效提高发光二极管的光提取效率. 由于在制造时光子晶体中可能会存在缺陷和错位,本文基于时域有限差分法对光子晶体中的缺陷 和错位对发光二极管发光效率的影响进行了研究.数值仿真结果表明, 光子晶体中少量缺陷或者微小错位并不会降低发光二极管的光提取效率, 其中某些缺陷反而能增强光子晶体发光二极管的光提取效率.本文对其物理机理给出了详细的理论分析, 并设计了一种具有缺陷的光子晶体,在未刻蚀到有源层(离有源层20 nm)的情况下, 其光提取效率达到了完美光子晶体的1.6倍.通过对这种缺陷光子晶体的空间频谱分析可知, 可以通过设计具有特殊空间频谱分布的光子晶体来提高发光二极管的发光效率, 这对设计高光提取效率的光子晶体结构和制造高效率的发光二极管有指导意义.

English Abstract

参考文献 (17)

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