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InAs/GaSb量子阱的能带结构及光吸收

刘柱 赵志飞 郭浩民 王玉琦

InAs/GaSb量子阱的能带结构及光吸收

刘柱, 赵志飞, 郭浩民, 王玉琦
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出版历程
  • 收稿日期:  2012-03-29
  • 修回日期:  2012-05-21
  • 刊出日期:  2012-11-05

InAs/GaSb量子阱的能带结构及光吸收

  • 1. 中国科学院固体物理研究所材料应用技术研究室, 合肥 230031

摘要: 采用八能带K-P理论以及有限差分方法, 研究了沿[001]方向生长的InAs/GaSb二类断带量子阱体系的能带结构、 波函数分布和对[110]方向线性偏振光的吸收特性. 研究发现, 通过改变InAs或GaSb层的厚度, 可有效调节该量子阱体系的能带结构及波函数分布. 计算结果表明, 当InAs/GaSb量子阱的导带底与价带顶处于共振状态时, 导带基态与轻空穴基态杂化效应很小, 且导带基态与第一激发态的波函数存在较大的重叠, 导带基态与第一激发态之间在布里渊区中心处的跃迁概率明显大于导带底与价带顶处于非共振状态时的跃迁概率. 研究结果对基于InAs/GaSb二类断带量子阱体系的中远红外波段的新型级联激光器、探测器等光电器件的设计具有重要意义.

English Abstract

参考文献 (29)

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