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V2O5电极修饰对C60/Pentacene双层异质结场效应晶体管性能的影响

赵赓 程晓曼 田海军 杜博群 梁晓宇 吴峰

V2O5电极修饰对C60/Pentacene双层异质结场效应晶体管性能的影响

赵赓, 程晓曼, 田海军, 杜博群, 梁晓宇, 吴峰
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出版历程
  • 收稿日期:  2012-04-24
  • 修回日期:  2012-05-12
  • 刊出日期:  2012-11-05

V2O5电极修饰对C60/Pentacene双层异质结场效应晶体管性能的影响

  • 1. 天津理工大学理学院, 天津 300384;
  • 2. 天津理工大学材料物理研究所, 显示材料与光电器件教育部重点实验室, 天津市光电显示材料与器件重点实验室, 天津 300384
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号: 61076065)和天津市自然科学基金项目(批准号: 07JCYBJC12700)资助的课题.

摘要: 制备了用过渡金属氧化物V2O5修饰Al源、 漏电极的C60/Pentacene双层异质结有机场效应管. 该构型器件与未修饰器件相比, 呈现出典型的双极型晶体管传输特性. 电子迁移率和空穴迁移率分别达到8.6× 10-2 cm2/V·s-1和6.4× 10-2 cm2/V·s-1, 阈值电压分别为25 V和-25 V. 器件性能改善的原因主要是由于插入V2O5修饰层后, 可以明显降低Al电极与Pentacene之间的接触势垒, 提高空穴的有效注入, 从而使电子和空穴的注入接近平衡. 研究表明, 采用V2O5修饰电极方法, 是制备低成本、 高性能的双极型有机场效应管并实现其商业应用的有效途径.

English Abstract

参考文献 (22)

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