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Si衬底上生长的MnSi薄膜和MnSi1.7 纳米线的STM和XPS分析

石高明 邹志强 孙立民 李玮聪 刘晓勇

Si衬底上生长的MnSi薄膜和MnSi1.7 纳米线的STM和XPS分析

石高明, 邹志强, 孙立民, 李玮聪, 刘晓勇
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  • 本文采用分子束外延方法制备出MnSi薄膜和MnSi1.7纳米线, 利用扫描隧道显微镜进行观察, 采用X射线光电子能谱仪系统地分析了MnSi薄膜和MnSi1.7纳米线的Mn 2p和Si 2p. 结果表明厚度为 ~0.9 nm的MnSi薄膜表面为√3 × √3重构, MnSi1.7纳米线长500—1500 nm, 宽16—18 nm, 高 ~ 3 nm. MnSi薄膜的Mn 2p1/2和Mn2p3/2峰位与MnSi1.7纳米线相同, 均分别为649.7 eV和638.7 eV. 结合能在640—645 eV和 ~653.8 eV处的锰氧化合物的Mn 2p3/2和Mn 2p1/2 峰证明在短暂暴露于空气中后MnSi薄膜和MnSi1.7纳米线表面有氧化层形成. 两种锰硅化合物Si 2p谱中向低结合能方向的化学位移表明随着锰硅化合物的形成, Si的化学环境发生了变化.
    • 基金项目: 国家自然科学基金 (批准号: 61176017) 和上海市教育委员会科研创新项目 (批准号: 12ZZ025) 资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2012-04-28
  • 修回日期:  2012-06-14
  • 刊出日期:  2012-11-20

Si衬底上生长的MnSi薄膜和MnSi1.7 纳米线的STM和XPS分析

  • 1. 上海交通大学分析测试中心, 上海 200240;
  • 2. 上海交通大学物理系, 上海 200240
    基金项目: 

    国家自然科学基金 (批准号: 61176017) 和上海市教育委员会科研创新项目 (批准号: 12ZZ025) 资助的课题.

摘要: 本文采用分子束外延方法制备出MnSi薄膜和MnSi1.7纳米线, 利用扫描隧道显微镜进行观察, 采用X射线光电子能谱仪系统地分析了MnSi薄膜和MnSi1.7纳米线的Mn 2p和Si 2p. 结果表明厚度为 ~0.9 nm的MnSi薄膜表面为√3 × √3重构, MnSi1.7纳米线长500—1500 nm, 宽16—18 nm, 高 ~ 3 nm. MnSi薄膜的Mn 2p1/2和Mn2p3/2峰位与MnSi1.7纳米线相同, 均分别为649.7 eV和638.7 eV. 结合能在640—645 eV和 ~653.8 eV处的锰氧化合物的Mn 2p3/2和Mn 2p1/2 峰证明在短暂暴露于空气中后MnSi薄膜和MnSi1.7纳米线表面有氧化层形成. 两种锰硅化合物Si 2p谱中向低结合能方向的化学位移表明随着锰硅化合物的形成, Si的化学环境发生了变化.

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