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应变Ge空穴有效质量的各向异性与各向同性

戴显英 杨程 宋建军 张鹤鸣 郝跃 郑若川

应变Ge空穴有效质量的各向异性与各向同性

戴显英, 杨程, 宋建军, 张鹤鸣, 郝跃, 郑若川
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  • 在利用kp微扰理论获得应变Ge/Si1-xGex价带E(k)-k关系的基础上, 研究得到了(001), (101), (111)面应变Ge/Si1-xGex沿不同晶向及各向同性的价带空穴有效质量. 结果显示, 应变Ge/Si1-xGex沿各晶向的带边有效质量随应力增大而减小, 且沿[010]晶向最小; 子带空穴有效质量在应力较大时变化不明显, 并且在数值上与带边空穴有效质量相差不大. 最后利用各向同性有效质量与文献结果进行比对, 验证了结果的正确性.
    • 基金项目: 国家重点基础研究发展计划(批准号: 6139801-1)资助的课题.
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    Kasper E (Translated by Yu J Z) 2002 Properties of Strained and Relaxed Silicon Germanium (Beijing: National Defence Industrial Press) [Erich Kasper (余金中译) 2002 硅锗的性质 (北京: 国防工业出版社)]

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    [14]

    Lee Minjoo L, Fitzgerald Eugene A 2003 Appl. Phys. Lett. 83 4202

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出版历程
  • 收稿日期:  2012-06-05
  • 修回日期:  2012-06-19
  • 刊出日期:  2012-12-05

应变Ge空穴有效质量的各向异性与各向同性

  • 1. 西安电子科技大学微电子学院, 宽禁带隙半导体技术国家重点实验室, 西安 710071
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展计划(批准号: 6139801-1)资助的课题.

摘要: 在利用kp微扰理论获得应变Ge/Si1-xGex价带E(k)-k关系的基础上, 研究得到了(001), (101), (111)面应变Ge/Si1-xGex沿不同晶向及各向同性的价带空穴有效质量. 结果显示, 应变Ge/Si1-xGex沿各晶向的带边有效质量随应力增大而减小, 且沿[010]晶向最小; 子带空穴有效质量在应力较大时变化不明显, 并且在数值上与带边空穴有效质量相差不大. 最后利用各向同性有效质量与文献结果进行比对, 验证了结果的正确性.

English Abstract

参考文献 (14)

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