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掺铝3C-SiC电子结构的第一性原理计算及其微波介电性能

李智敏 施建章 卫晓黑 李培咸 黄云霞 李桂芳 郝跃

掺铝3C-SiC电子结构的第一性原理计算及其微波介电性能

李智敏, 施建章, 卫晓黑, 李培咸, 黄云霞, 李桂芳, 郝跃
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出版历程
  • 收稿日期:  2012-03-31
  • 修回日期:  2012-06-25
  • 刊出日期:  2012-12-05

掺铝3C-SiC电子结构的第一性原理计算及其微波介电性能

  • 1. 西安电子科技大学技术物理学院, 西安 710071;
  • 2. 西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件重点实验室, 西安 710071
    基金项目: 

    中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(批准号: K5051205006, K5051105006)资助的课题.

摘要: 采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势法,对比研究了未掺杂和Al掺杂3C-SiC材料的电子结构和介电常数.结果表明: Al掺杂后, Fermi能级进入价带,带隙宽度略为加宽,在8.2—12.4 GHz范围内介电常数大幅度增大. 利用燃烧合成法制备了Al掺杂的3C-SiC粉体吸收剂,通过矢量网络分析仪测试了样品在8.2—12.4 GHz 范围内的微波介电常数,验证了理论计算结果,并讨论了微波损耗机理.

English Abstract

参考文献 (20)

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