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非铁电压电复合陶瓷SrTiO3-Bi12TiO20 (ST-BT) 的正电子湮没谱学研究

张丽娟 王力海 刘建党 李强 成斌 张杰 安然 赵明磊 叶邦角

非铁电压电复合陶瓷SrTiO3-Bi12TiO20 (ST-BT) 的正电子湮没谱学研究

张丽娟, 王力海, 刘建党, 李强, 成斌, 张杰, 安然, 赵明磊, 叶邦角
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出版历程
  • 收稿日期:  2012-06-05
  • 修回日期:  2012-06-30
  • 刊出日期:  2012-12-05

非铁电压电复合陶瓷SrTiO3-Bi12TiO20 (ST-BT) 的正电子湮没谱学研究

  • 1. 中国科学技术大学近代物理系, 合肥 230026;
  • 2. 山东大学物理学院,晶体材料国家重点实验室, 济南 250100
    基金项目: 

    国家自然科学基金重点项目(批准号: 10835006)、 国家自然科学基金(批准号: 51172129) 和国家自然科学基金青年科学基金(批准号: 11105139)资助的课题.

摘要: 采用传统陶瓷烧结工艺成功制备出新型非铁电压电复合陶瓷 SrTiO3-Bi12TiO20 (ST-BT),利用正电子湮没技术, 对ST-BT复合陶瓷烧结过程进行了研究, 讨论了烧结过程中材料内部的缺陷变化特征,给出了烧结温度对该复合陶瓷结晶度和缺陷结构的影响. 发现烧结温度在860—940℃,烧结时间为3 h的实验条件下, ST-BT复合陶瓷已趋于稳定,出现了大量的单空位型缺陷.烧结温度超过980℃将引起 Bi12TiO20相的大量分解,杂相的出现造成缺陷的聚集,形成大尺度的微空洞. 实验结果表明,烧结温度在920—940 ℃的烧结条件下, ST-BT复合陶瓷的结构特性及压电性能均表现出较好的稳定性.

English Abstract

参考文献 (20)

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