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室温生长ZnO薄膜晶体管的紫外响应特性

吴萍 张杰 李喜峰 陈凌翔 汪雷 吕建国

室温生长ZnO薄膜晶体管的紫外响应特性

吴萍, 张杰, 李喜峰, 陈凌翔, 汪雷, 吕建国
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  • 在室温下采用射频磁控溅射法制备了以ZnO薄膜为沟道层的薄膜晶体管(TFTs). 研究表明ZnO薄膜在紫外区具有较高的吸收率, 并且ZnO-TFTs对紫外光照射较为敏感. 因此, 进一步深入研究了ZnO-TFTs紫外光照下的输出和转移特性, 结果表明, 紫外光照将引起较为明显的光响应电流, 且经过光照的器件在光源移除7天后, ZnO沟道层中仍能观察到残余电导现象, 其原因可以归结为紫外光辐射在ZnO沟道层中引入了一定数量的氧空位施主态缺陷.
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号: 51002131)和上海大学新型显示技术及应用集成教育部重点实验室(批准号: P201005)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2012-06-18
  • 修回日期:  2012-08-11
  • 刊出日期:  2013-01-05

室温生长ZnO薄膜晶体管的紫外响应特性

  • 1. 浙江大学材料科学与工程学系, 硅材料国家重点实验室, 杭州 310027;
  • 2. 上海大学, 新型显示技术及应用集成教育部重点实验室, 上海 200072
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号: 51002131)和上海大学新型显示技术及应用集成教育部重点实验室(批准号: P201005)资助的课题.

摘要: 在室温下采用射频磁控溅射法制备了以ZnO薄膜为沟道层的薄膜晶体管(TFTs). 研究表明ZnO薄膜在紫外区具有较高的吸收率, 并且ZnO-TFTs对紫外光照射较为敏感. 因此, 进一步深入研究了ZnO-TFTs紫外光照下的输出和转移特性, 结果表明, 紫外光照将引起较为明显的光响应电流, 且经过光照的器件在光源移除7天后, ZnO沟道层中仍能观察到残余电导现象, 其原因可以归结为紫外光辐射在ZnO沟道层中引入了一定数量的氧空位施主态缺陷.

English Abstract

参考文献 (24)

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