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Ga30Sb70/Sb80Te20纳米复合多层薄膜的相变特性研究

汪昌州 朱伟玲 翟继卫 赖天树

Ga30Sb70/Sb80Te20纳米复合多层薄膜的相变特性研究

汪昌州, 朱伟玲, 翟继卫, 赖天树
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  • 采用磁控二靶(Ga30Sb70和Sb80Te20)交替溅射方法制备了新型Ga30Sb70/Sb80Te20纳米复合多层薄膜, 对多层薄膜周期中Ga30Sb70层厚度对相变特性的影响进行了研究. 结果表明, 多层薄膜的结晶温度可以通过周期中Ga30Sb70层厚度进行调节, 且随着Ga30Sb70层厚度的增加而升高. Ga30Sb70/Sb80Te20纳米复合多层薄膜的光学带隙随Ga30Sb70层厚度的增加而增大. 采用皮秒激光脉冲抽运光探测技术研究了多层薄膜的瞬态结晶动力学过程, 利用不同能量密度的皮秒激光脉冲可以实现Ga30Sb70/Sb80Te20多层薄膜非晶态和晶态的可逆转变.
    • 基金项目: 国家高技术研究发展计划 (批准号: 2008AA031402)、国家自然科学基金(批准号: 51202148) 和上海市纳米科技专项基金(批准号: 1052nm07200) 资助的课题.
    [1]

    Wuttig M, Yamada N 2007 Nat. Mater. 6 824

    [2]

    Wuttig M, Steimer C 2007 Appl. Phys. A 97 411

    [3]

    Lankhorst M H R, Ketelaars B W S M M, Wolters R A M 2005 Nat. Mater. 4 347

    [4]

    Ryu S W, Oh J H, Choi B J, Hwang S Y, Hong S K, Hwang C S, Kim H J 2006 Electrochem. Solid-State Lett. 9 G259

    [5]

    Wang C Z, Zhai J W, Song S N, Song Z T, Sun M C, Shen B 2011 Electrochem. Solid-State Lett. 14 H258

    [6]

    Kao K F, Cheng H Y, Jong C A, Lan C J, Chin T S 2007 IEEE Trans. Magn. 43 930

    [7]

    Lankhorst M H R, van Pieterson L, van Schijndel M, Jacobs B A J, Rijpers Jan C N 2003 Jpn. J. Appl. Phys. 42 863

    [8]

    Zhu M, Wu L C, Rao F, Song Z T, Li X L, Peng C, Zhou X L, Ren K, Yao D N, Feng S L 2011 J. Alloys Compd. 509 10105

    [9]

    Simpson R E, Hewak D W, Fons P, Tominaga J, Guerin S, Hayden B E 2008 Appl. Phys. Lett. 92 141921

    [10]

    Cheng H Y, Kao K F, Lee C M, Chin T S 2008 Thin Solid Films 516 5513

    [11]

    Wang C Z, Zhai J W, Bai S Y, Shen B 2011 Appl. Surf. Sci. 257 6296

    [12]

    Wang C Z, Zhai J W, Song S N, Song Z T, Yao X 2011 Curr. Appl. Phys. 11 S345

    [13]

    Chung K M, Wamwangi D, Woda M, Wuttig M, Bensch W 2008 J. Appl. Phys. 103 083523

    [14]

    Song K H, Kim S W, Seo J H, Lee H Y 2008 J. Appl. Phys. 104 103516

    [15]

    Song K H, Beak S C, Lee H Y 2010 J. Appl. Phys. 108 024506

    [16]

    Rousse A, Rischel C, Fourmaux S, Uschmann I, Sebban S, Grillon G, Balcou P, Förster E, Geindre J P, Audebert P, Gauthier J C, Hulin D 2001 Nature 410 65

  • [1]

    Wuttig M, Yamada N 2007 Nat. Mater. 6 824

    [2]

    Wuttig M, Steimer C 2007 Appl. Phys. A 97 411

    [3]

    Lankhorst M H R, Ketelaars B W S M M, Wolters R A M 2005 Nat. Mater. 4 347

    [4]

    Ryu S W, Oh J H, Choi B J, Hwang S Y, Hong S K, Hwang C S, Kim H J 2006 Electrochem. Solid-State Lett. 9 G259

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    Wang C Z, Zhai J W, Song S N, Song Z T, Sun M C, Shen B 2011 Electrochem. Solid-State Lett. 14 H258

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    Kao K F, Cheng H Y, Jong C A, Lan C J, Chin T S 2007 IEEE Trans. Magn. 43 930

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    Zhu M, Wu L C, Rao F, Song Z T, Li X L, Peng C, Zhou X L, Ren K, Yao D N, Feng S L 2011 J. Alloys Compd. 509 10105

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    Simpson R E, Hewak D W, Fons P, Tominaga J, Guerin S, Hayden B E 2008 Appl. Phys. Lett. 92 141921

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    Chung K M, Wamwangi D, Woda M, Wuttig M, Bensch W 2008 J. Appl. Phys. 103 083523

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    Song K H, Beak S C, Lee H Y 2010 J. Appl. Phys. 108 024506

    [16]

    Rousse A, Rischel C, Fourmaux S, Uschmann I, Sebban S, Grillon G, Balcou P, Förster E, Geindre J P, Audebert P, Gauthier J C, Hulin D 2001 Nature 410 65

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出版历程
  • 收稿日期:  2012-07-13
  • 修回日期:  2012-09-10
  • 刊出日期:  2013-02-05

Ga30Sb70/Sb80Te20纳米复合多层薄膜的相变特性研究

  • 1. 同济大学功能材料研究所, 上海 200092;
  • 2. 中国科学院上海高等研究院薄膜光电工程技术研究中心, 上海 201210;
  • 3. 中山大学物理科学与工程技术学院, 光电材料与技术国家重点实验室, 广州 510275
    基金项目: 

    国家高技术研究发展计划 (批准号: 2008AA031402)、国家自然科学基金(批准号: 51202148) 和上海市纳米科技专项基金(批准号: 1052nm07200) 资助的课题.

摘要: 采用磁控二靶(Ga30Sb70和Sb80Te20)交替溅射方法制备了新型Ga30Sb70/Sb80Te20纳米复合多层薄膜, 对多层薄膜周期中Ga30Sb70层厚度对相变特性的影响进行了研究. 结果表明, 多层薄膜的结晶温度可以通过周期中Ga30Sb70层厚度进行调节, 且随着Ga30Sb70层厚度的增加而升高. Ga30Sb70/Sb80Te20纳米复合多层薄膜的光学带隙随Ga30Sb70层厚度的增加而增大. 采用皮秒激光脉冲抽运光探测技术研究了多层薄膜的瞬态结晶动力学过程, 利用不同能量密度的皮秒激光脉冲可以实现Ga30Sb70/Sb80Te20多层薄膜非晶态和晶态的可逆转变.

English Abstract

参考文献 (16)

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