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蓝宝石衬底上生长的Ga2+xO3-x薄膜的结构分析

潘惠平 成枫锋 李琳 洪瑞华 姚淑德

蓝宝石衬底上生长的Ga2+xO3-x薄膜的结构分析

潘惠平, 成枫锋, 李琳, 洪瑞华, 姚淑德
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出版历程
  • 收稿日期:  2012-06-08
  • 修回日期:  2012-09-10
  • 刊出日期:  2013-02-05

蓝宝石衬底上生长的Ga2+xO3-x薄膜的结构分析

  • 1. 北京大学, 核物理与核技术国家重点实验室, 北京 100871;
  • 2. 黔南民族师范学院物理与电子科学系, 都匀 558000;
  • 3. 台湾国立中兴大学精密工程研究所, 台中 40227
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:10875004,11005005)和国家重点基础研究发展计划(批准号:2010CB832904)资助的课题.

摘要: 利用卢瑟夫背散射/沟道技术和金属有机化学气相沉积方法, 对蓝宝石衬底上 在不同温度、压强下生长的Ga2+xO3-x薄膜进行结构和结晶品质的测量与分析; 并结合高分辨X射线衍射分析技术, 通过对其对称(402)面的θ–2θ及ω扫描, 确定了其结构类型及结晶品质. 实验表明: 在相同的生长温度(500 ℃)下, 结晶品质随压强的下降而变好, 生长压强为15 Torr (1 Torr=133.322 Pa)的样品其结晶品质最好, 沿轴入射之比χmin值为14.5%; 在相同的生长压强(15 Torr)下, 结晶品质受生长温度的影响不大, 所以, 生长温度不是改变结晶品质的主要因素; 此外, 在相同的生长条件下制备的样品, 分别经过700, 800和900 ℃退火后, 其结晶品质随退火温度的变化而变化. 退火温度为800 ℃的样品的结晶品质最好, χmin值为11.1%; 当退火温度达到900 ℃时, 样品部分分解; 经热处理的样品其X射线衍射谱中有一个强的Ga2O3 (402)面衍射峰, 其半峰全宽为0.5°, 表明该Ga2O3外延膜是(402)择优取向.

English Abstract

参考文献 (11)

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