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磁存储器环形带切口结构自由层磁化反转的微磁模拟

郝建红 高辉

磁存储器环形带切口结构自由层磁化反转的微磁模拟

郝建红, 高辉
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出版历程
  • 收稿日期:  2012-07-04
  • 修回日期:  2012-09-27
  • 刊出日期:  2013-03-05

磁存储器环形带切口结构自由层磁化反转的微磁模拟

  • 1. 华北电力大学, 电气与电子工程学院, 北京 102206
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号: 10775018)和科技部国际科技合作项目(批准号: 2011DFR00780)资助的课题.

摘要: 针对基于磁性隧道结的赝自旋阀磁随机存储器, 使用带斜面切口环形结构自由层, 抛弃采用厚度改变矫顽力的方式, 降低了磁性隧道结的面积电阻, 改进了垂直电流磁随机存储器. 通过集成工艺中淀积的二次效应生成磁环的切口, 利用微磁学方法计算分析了自由层的磁化反转特性, 结果表明该模型具有低串扰、低面积电阻、高磁阻率以及较强的抗干扰性能.

English Abstract

参考文献 (15)

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