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不同粒子辐射条件下CC4013器件辐射损伤研究

李兴冀 刘超铭 孙中亮 兰慕杰 肖立伊 何世禹

不同粒子辐射条件下CC4013器件辐射损伤研究

李兴冀, 刘超铭, 孙中亮, 兰慕杰, 肖立伊, 何世禹
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出版历程
  • 收稿日期:  2012-08-19
  • 修回日期:  2012-09-19
  • 刊出日期:  2013-03-05

不同粒子辐射条件下CC4013器件辐射损伤研究

  • 1. 哈尔滨工业大学材料科学与工程学院, 哈尔滨 150001;
  • 2. 哈尔滨工业大学航天学院, 哈尔滨 150001
    基金项目: 

    中央高校基础研究基金(批准编号: HIT.KLOF.2010003).

摘要: 本文采用60 MeV Br离子、5 MeV质子和1 MeV电子等三种辐射源, 针对CC4013型互补金属氧化物半导体器件(complementary metal oxide semiconductor, CMOS)进行辐射损伤研究. 通过Geant4程序计算了该器件电离辐射吸收剂量与芯片厚度的关系, 经过计算, 在相同注量下, 60 MeV Br离子的电离吸收剂量最大, 1 MeV电子产生的电离吸收剂量最小. 应用Keithley4200-SCS半导体特性分析仪在原位条件下研究了CC4013器件电性能参数随辐射吸收剂量的变化关系. 测试结果表明, 相同电离辐射吸收剂量下, 1 MeV电子对CC4013器件的阈值电压参数影响最大, 5 MeV质子其次, 60 MeV Br离子的影响最弱.

English Abstract

参考文献 (9)

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