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应变Si NMOSFET阈值电压集约物理模型

周春宇 张鹤鸣 胡辉勇 庄奕琪 舒斌 王斌 王冠宇

应变Si NMOSFET阈值电压集约物理模型

周春宇, 张鹤鸣, 胡辉勇, 庄奕琪, 舒斌, 王斌, 王冠宇
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出版历程
  • 收稿日期:  2012-11-04
  • 修回日期:  2012-11-25
  • 刊出日期:  2013-04-05

应变Si NMOSFET阈值电压集约物理模型

  • 1. 西安电子科技大学微电子学院, 宽禁带半导体材料与器件重点实验室, 西安 710071;
  • 2. 辽宁工程技术大学电子与信息工程学院, 葫芦岛 125105
    基金项目: 

    教育部博士点基金 (批准号: JY0300122503)、中央高校基本业务费 (批准号: K5051225014, K5051225004) 和陕西省自然科学基金 (批准号: 2010JQ8008) 资助的课题.

摘要: 本文采用渐变沟道近似和准二维分析的方法, 通过求解泊松方程, 建立了应变Si NMOSFET阈值电压集约物理模型. 模型同时研究了短沟道, 窄沟道, 非均匀掺杂, 漏致势垒降低等物理效应对阈值电压的影响. 采用参数提取软件提取了阈值电压相关参数, 通过将模型的计算结果和实验结果进行对比分析, 验证了本文提出的模型的正确性. 该模型为应变Si超大规模集成电路的分析和设计提供了重要的参考.

English Abstract

参考文献 (16)

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