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H+和Ar11+激发Si的K壳层X射线发射研究

周贤明 赵永涛 程锐 王兴 雷瑜 孙渊博 王瑜玉 徐戈 任洁茹 张小安 梁昌慧 李耀宗 梅策香 肖国青

H+和Ar11+激发Si的K壳层X射线发射研究

周贤明, 赵永涛, 程锐, 王兴, 雷瑜, 孙渊博, 王瑜玉, 徐戈, 任洁茹, 张小安, 梁昌慧, 李耀宗, 梅策香, 肖国青
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  • 测量了50250 keV H+和1.03.0 MeV Ar11+ 轰击Si表面过程中辐射的X射线. 结果表明, 在Ar11+入射的情况下, 引起了Si的L壳层上3, 4个电子的多电离.计算了Si的K壳层X射线产生截面, 并将两体碰撞近似(BEA), 平面波恩近似, ECPSSR理论计算与实验值进行了对比. ECPSSR理论与质子产生的截面数据能够很好地符合; 而考虑多电离后, BEA理论与Ar11+的实验结果符合较好.
    • 基金项目: 国家重点基础研究发展计划(批准号:2010CB832902)和国家自然科学基金(批准号:11275241, 11205225, 11105192, 11275238)资助的课题.
    [1]

    Burgdorfer J, Lerner P, Meyer F 1991 Phys. Rev. A 44 5674

    [2]

    Zhao Y T, Xiao G Q, Zhang X A, Yang Z H, Chen X M, Li F L, Zhang Y P, Zhang H Q, Cui Y, Shao J X, Xu X 2005 Acta Phys. Sin. 55 85 (in Chinese) [赵永涛, 肖国青, 张小安, 杨治虎, 陈熙萌, 李福利, 张艳萍, 张红强, 崔莹, 邵剑雄, 徐徐 2005 物理学报 55 85]

    [3]

    Xu Q M, Yang Z H, Du S B, Chang H W, Zhang Y P 2011 Acta Phys. Sin. 60 093202 (in Chinese) [徐秋梅, 杨治虎, 杜树斌, 常宏伟, 张艳萍2011 物理学报 60 093202]

    [4]

    Lugo-Licona M, Miranda J 2004 Nucl. Instrum. Meth. B 189 8

    [5]

    Wang X, Zhao Y T, Cheng R, Zhou X M, Xu G, Sun Y B, Lei Y, Wang Y Y, Ren J R, Yu Y, Li Y F, Zhang X A, Li Y Z, Liang C H, Xiao G Q 2012 Acta Phys. Sin. 61 193201 (in Chinese) [王兴, 赵永涛, 程锐, 周贤明, 徐戈, 孙渊博, 雷瑜, 王瑜玉, 任洁茹, 虞洋, 李永峰, 张小安, 李耀宗, 梁昌慧, 肖国青2012物理学报 61 193201]

    [6]

    Slabkowska K, Polasik M 2003 Nucl. Instrum. Meth. B 205 123

    [7]

    Wanga P, MacFarlane J J, Moses G A 1995 Laser Part. Beams 13 191

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    Bhalla C P, Richard P 1973 Phys. Lett. A 45 19

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    McGuire C P, Richards P 1973 Phys. Rev. A 8 1374

    [10]

    Liu Z Q, Cipolla S J 1996 Comput. Phys. Commun. 97 315

    [11]

    Lapick Gi, McDaniel F D 1981 Phys. Rev. A 23 975

    [12]

    Meyerhof W E, Anholt R, Saylor T K, Lazarus S M, Little A, Chase L F 1976 Phys. Rev. A 14 1653

    [13]

    Awaya Y, Kambara T, Kanai Y 1999 Int. J. Mass Spectrom. 192 49

    [14]

    Krause M O 1979 J. Phys. Chem. Ref. 8 307

    [15]

    Garcia J D, Fortner R J, Kavanagh T M 1973 Rev. Mod. Phys. 45 111

    [16]

    Hubbell J H 1969 Lawrence Livermore National Laboratory Report UCRL-50174

    [17]

    Miranda J, Lucio de O J, Lugo-Licona M F 2007 Rev. Mex. Fis. S 53 29

    [18]

    Banas D, Pajek M 2002 Nucl. Instrum. Meth. B 195 233

    [19]

    Tanis J A, Shafroth S M, Jacobs W W, Mcabee T, Lapicki G 1985 Phys. Rev. A 31 750

    [20]

    Karim K K 2011 J. Quant. Spectrosc. Rad. Trans. 112 1026

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    Zhao Y T, Xiao G Q, Zhang X A, Yang Z H, Chen X M, Li F L, Zhang Y P, Zhang H Q, Cui Y, Shao J X, Xu X 2005 Acta Phys. Sin. 55 85 (in Chinese) [赵永涛, 肖国青, 张小安, 杨治虎, 陈熙萌, 李福利, 张艳萍, 张红强, 崔莹, 邵剑雄, 徐徐 2005 物理学报 55 85]

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    Krause M O 1979 J. Phys. Chem. Ref. 8 307

    [15]

    Garcia J D, Fortner R J, Kavanagh T M 1973 Rev. Mod. Phys. 45 111

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    Miranda J, Lucio de O J, Lugo-Licona M F 2007 Rev. Mex. Fis. S 53 29

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    Tanis J A, Shafroth S M, Jacobs W W, Mcabee T, Lapicki G 1985 Phys. Rev. A 31 750

    [20]

    Karim K K 2011 J. Quant. Spectrosc. Rad. Trans. 112 1026

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出版历程
  • 收稿日期:  2012-11-21
  • 修回日期:  2012-12-19
  • 刊出日期:  2013-04-05

H+和Ar11+激发Si的K壳层X射线发射研究

  • 1. 中国科学院近代物理研究所, 兰州 730000;
  • 2. 咸阳师范学院物理与电子工程学院, 咸阳 712000
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展计划(批准号:2010CB832902)和国家自然科学基金(批准号:11275241, 11205225, 11105192, 11275238)资助的课题.

摘要: 测量了50250 keV H+和1.03.0 MeV Ar11+ 轰击Si表面过程中辐射的X射线. 结果表明, 在Ar11+入射的情况下, 引起了Si的L壳层上3, 4个电子的多电离.计算了Si的K壳层X射线产生截面, 并将两体碰撞近似(BEA), 平面波恩近似, ECPSSR理论计算与实验值进行了对比. ECPSSR理论与质子产生的截面数据能够很好地符合; 而考虑多电离后, BEA理论与Ar11+的实验结果符合较好.

English Abstract

参考文献 (20)

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