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高入射能量下的金属二次电子发射模型

杨文晋 李永东 刘纯亮

高入射能量下的金属二次电子发射模型

杨文晋, 李永东, 刘纯亮
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出版历程
  • 收稿日期:  2012-10-15
  • 修回日期:  2012-12-17
  • 刊出日期:  2013-04-05

高入射能量下的金属二次电子发射模型

  • 1. 西安交通大学, 电子物理与器件教育部重点实验室, 西安 710049
    基金项目: 

    国家自然科学基金 (批准号:50977076)和空间微波技术重点实验室基金 (批准号:9140C530103110C5301) 资助的课题.

摘要: 基于高入射能量电子产生二次电子发射的物理过程, 分别对高入射能量电子产生的真二次电子和背散射电子的概率进行理论分析与建模. 利用Bethe能量损失模型和内二次电子逸出概率分布, 推导出高入射能量电子产生有效真二次电子发射的系数与入射能量的关系式; 根据高入射能量电子在材料内部被吸收的规律, 推导出高入射能量电子产生背散射电子的系数与入射能量之间的关系式. 结合两者得到高入射能量下金属的二次电子发射模型. 利用该模型计算得到典型金属材料Au, Ag, Cu, Al的二次电子发射系数, 理论计算结果与采用Casino软件模拟金属内部散射过程得到的数值模拟结果相符.

English Abstract

参考文献 (16)

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