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双量子阱中光子辅助电子自旋隧穿

李春雷 徐燕 张燕翔 叶宝生

双量子阱中光子辅助电子自旋隧穿

李春雷, 徐燕, 张燕翔, 叶宝生
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出版历程
  • 收稿日期:  2013-02-19
  • 修回日期:  2013-03-05
  • 刊出日期:  2013-05-05

双量子阱中光子辅助电子自旋隧穿

  • 1. 首都师范大学初等教育学院 微尺度功能材料实验室, 北京 100048
    基金项目: 

    国家自然科学基金专项基金(批准号: 11147198)资助的课题.

摘要: 采用单电子有效质量近似理论, Floquet理论和传递矩阵方法, 对包含时间周期场的双量子阱中单电子的自旋隧穿特性进行了研究, 对InP/InAs半导体材料进行了数值计算. 重点研究了Rashba型和Dresselhaus型自旋轨道耦合、量子阱结构以及偏压对电子隧穿的影响. 这些结果可以为设计和调控半导体自旋电子器件提供一定的理论依据.

English Abstract

参考文献 (19)

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